تاثیر دمای بازپخت بر خواص اپتیکی لایه های نازک نیم رسانای اکسیدی In2O3 به منظور آشکارسازی بخار اتانول

در این مقاله ساخت پوشش لایه های نازکIn2O3 با استفاده از روش تبخیر حرارتی در ضخامت های 200 نانومتر با آهنگ لایه نشانیnm/s 1/0 در دماهای بازپخت متفاوت 300، 400، 500 ودرجه سانتیگراد550 انجام شد. سپس ویژگی های اپتیکی لایه ها در این دماها مورد بررسی قرار گرفت. در این مطالعه همه نمونه های بازپخت شده، نشان دهنده عبور بالا در طیف نور مرئی است. در طول موج nm550 بیش ترین عبور 89% برای لایه های بازپختی در دمای درجه سانتیگراد400 و کم ترین عبور برای لایه های بازپختی درجه سانتیگراد300 به دست آمد. ضریب شکست نمونه های مختلف در این طول موج، در محدوده 1/2-7/1 به دست آمد. هم چنین با اضافه کردن ناخالصی قلع به اکسید ایندیوم با درصد (ITO) SnO210%+ In2O390%، زمان پاسخ 8 ثانیه را برای آشکارسازی ppm1500 بخار اتانول مشاهده کردیم.

Keywords:

اکسیدهای نیم رسانای شفاف , تبخیر حرارتی , آشکارسازی اتانول