بررسی اثر وارد کردن اتم سرب و کنترل خواص نوری در لایه های نانو ساختار مس سلنید

در این کار نقش جایگزینی اتم های سرب در کنترل اندازه گاف انرژی نواری بررسی شده است. داده های آزمایشگاهی نشان داده است که جایگزینی اتم های سرب نقش تعیین کننده ای روی اندازه گاف انرژی نواری آنها دارد به طوری که خواص نوری آن را به شدت تحت تاثیر قرار می دهد. روش ساده ای را برای ساخت لایه های نانوساختار مس سلنی با روش رسوب گیری از محلول شیمیایی به کار برده شده است. لایه ای نازک نانوساختار مس سلنید با ابزارهای اندازه گیری مانند پراش اشعه ایکس جهت تعیین نوع ساختار، میکروسکوپ الکترونی روبشی برای مشاهده ریخت شناسی لایه ها و اسپکتروسکوپی جذب ناحیه مرئی فرابنفش برای اندازه گیری گاف انرژی نواری استفاده شده است.

Keywords:

رسوب گیری از حمام شیمیائی , گاف انرژی نوری , لایه نازک