تقویت کننده ترارسانایی با تکنیک راه انداز بدنه و منابع جریان کسکود در ابزارهای پزشکی

در این مقاله ساختار تقویتکننده ترارسانایی با تکنیک راه انداز بدنه و منابع جریان کسکود با استفاده از ترانزیستورCMOS، با طول کانال 180 نانومتر طراحی و نتایج آن موردبحث و بررسی قرارگرفته است. با استفاده از تقویت کننده هدایت انتقالی در تکنولوژی CMOS با راه انداز بدنه می توان به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست یافت که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بیسیم یا فرکانس پایین در لوازمپزشکی و... قابل استفاده است. برای طراحی مدار پیشنهادی، طبقه ورودی مبتنی بر راه انداز بدنه که با منبع جریانNMOS سری شده است جهت افزایش بهره بدون ازدیاد توان مصرفی بکار برده شده است. خروجی نیز بصورت منابع جریان کسکود شده، جهت افزایش مقاومت خروجی تقویت کننده، می باشد. تکنیک های استفاده شده منجر به افزایشبهره مد تفاضلی بدون افزایش توان مصرفی شده است. نتایج بررسیها نشان میدهد که در تقویت کننده پیشنهادی،بهره 96.6dB، پهنای باند 0.8KHz، و توان مصرفی 4.069uw می باشد که این نتایج، نسبت به سایر مراجع مطلوب تر است. بنابراین مزیت مدار پیشنهادی علاوه بر افزایش بهره، مصرف توان آن می باشد.

Keywords:

تقویت کننده , ترارسانایی , راه انداز بدنه , کسکود , افزایش بهره