مطالعه آزمایشگاهی و مدل سازی حذف متیلن بلوتوسط فیلم نازک اصلاح شده ZnO

Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 353

This Paper With 19 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

CBGCONF06_073

تاریخ نمایه سازی: 28 بهمن 1398

Abstract:

در این مطالعه ابتدا به منظور اصلاح فیلم نازک ZnO با توجه به مطالعات قبلی، دوپ شدن فیلم نازک ZnO با منگنز با نسبت مولی منگنز به روی 1 به 100 ، دمای و زمان کلسینه 450 ºC و 2 ساعت، با استفاده از روش سل-ژل صورت گرفت و سپس کاتالیست بر روی پایه شیشه ای با استفاده از روش غوطه ور سازی (Dip Coating) با سرعت 3 cm/min لایه نشانی شد. سپس از آزمون های XRD، EDX، SEM استفاده شد. حضور عنصر منگنز در ساختار فیلم دوپ شده تایید شد و همچنین سایز کریستالی فیلم مبنا و بهینه با استفاده از رابطه شرر محاسبه شد. در ادامه فعالیت فوتوکاتالیستی فیلم ها در آزمایش حذف متیلن بلو و در معرض تابش نور مرئی در راکتور ناپیوسته مورد ارزیایی قرار گرفت. میزان حذف متیلن بلو در معرض نور مرئی، برای فیلم ها تعیین شد و همچنین مشاهده شد که فرآیند حذف، واکنشی شبه درجه اول بوده و در نتیجه با بررسی میزان حذف در بازه 5 ساعته Kapp برای فیلم ها تعیین گردید. سپس یک فوتورآکتور لوله ای با جریان چرخشی طراحی شد که کاتالیست اصلاح شده در سطح داخلی میکرولوله لایه نشانی گردید. به منظور دست یافتن به شرایط عملیاتی بهینه در رآکتور، طراحی آزمایش به کمک روش پاسخ سطحی برای سه پارامتر مستفل pH، غلظت متیلن بلو((mg/L و سرعت جریان (ml/min) صورت گرفته و 17 آزمایش های طراحی شده انجام شد. شرایط بهینه عملیاتی توسط نرم افزار در pH اولیه برابر 6، غلظت اولیه متیلن بلو 20 mg/l ، سرعت جریان 151/72 ml/min پیشنهاد گردید. عملکرد کاتالیست بهینه برای دو سیستم دوغابی و تثبیت شده مقایسه شد ، که سیستم دوغابی تنها %10,3 عملکرد بهتری داشت. نزدیکی عملکرد دو سیستم نشان دهنده کاهش مقاومت انتقال جرم در سیستم تثبیت شده بوده و دلیل محکمی برای مناسب بودن طراحی رآکتور است.

Authors

سمانه علوی

گروه مهندسی شیمی ، دانشکده مهندسی، دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران ، ایران

منوچهر نیک آذر

دانشکده مهندسی، دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران ، ایران