بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوع P با مواد کانال Si ,InP,InGaP
Publish place: Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers، Vol: 15، Issue: 2
Publish Year: 1397
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 698
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_JIAE-15-2_001
Index date: 25 February 2020
بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوع P با مواد کانال Si ,InP,InGaP abstract
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد InP ،InGaP و Si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت GAA انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه میباشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت میتوان جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است با V/V 14m (فرمول در متن اصلی مقاله)
بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوع P با مواد کانال Si ,InP,InGaP Keywords:
بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوع P با مواد کانال Si ,InP,InGaP authors
فرشاد باجلان
دانشجوی دکتری- دانشکده فنی- دانشگاه آزاداسلامی واحد علوم و تحقیقات- تهران- ایران
آرش یزدان پناه گوهرریزی
استادیار- دانشکده مهندسی برق-دانشگاه شهید بهشتی- تهران-ایران
رحیم فایز
دانشیار- دانشکده مهندسی برق-دانشگاه صنعتی شریف- تهران-ایران
غفار درویش
استادیار- دانشکده فنی-دانشگاه آزاد علوم تحقیقات- تهران-ایران