ISI Papers
Conference Papers
- طراحی پروفایل نا خالصی بهینه در ساختار ترانزیستور GaAs PHEMT ارائه شده در International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science (1394)
- طراحی لایه ی سد ترانزیستور AlGaAs/InGaAs PHEMT ازطریق بهینه سازی مشخصات DC و RF ترانزیستور ارائه شده در International Conference on New Research Findings in Science, Engineering and Technology with a Focus on Need-Based Research (1394)
- طراحی ترانزیستور GaN HEMT با طول گیت 14 نانومتر ارائه شده در International Conference on New Research Findings in Science, Engineering and Technology with a Focus on Need-Based Research (1394)
- بهبود در مدارهای بایاس و جبران سازی آپ امپ ها ارائه شده در 6th Trans-Regional Conference On Advances In Engineering Sciences (1392)
- طراحی مدار گیت درایو رزونانسی جدید با قابلیت بازیافت انرژی ارائه شده در 5th iranian conference on electrical and electronic engineering (1392)
- طباطبائی سیدغیاث الدین، علیرضا عرفانیان و محسن حق پناه."کاهش اثرات خودگرمایی ترانزیستورهای AlGaN/GaN HEMT با استفاده از لایه پسیو Al2O3."، بیست و دومین کنفرانس مهندس برق ایران (ICEE 2014)، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، 1392 (1392)