طراحی و رشد یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتومولکولی
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,543
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NNTC01_343
Index date: 30 October 2010
طراحی و رشد یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتومولکولی abstract
هدف ازاین مقاله طراحی یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE:Molecular Beam Epetaxcy می باشد لایه گالیم ارسناید رشد داده شده به فرم چهار پر clover leaf شکل داده شده برای ساخت سنسور مورد استفاده قرار گرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است
طراحی و رشد یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتومولکولی Keywords:
طراحی و رشد یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتومولکولی authors
حجت اله حمیدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود