سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ساخت ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله های کربنی

Publish Year: 1389
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,506

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

NNTC01_360

Index date: 30 October 2010

ساخت ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله های کربنی abstract

ترانزیستورها سیستمهای فعالی هستند که برای تقویت جریان الکتریکی به کار می روند ساختمان داخلی آنها در گذشته تنها از عناصر نیمه هادی سیلیسیوم و ژرمانیم بود اما امروزه محققان با بهره گیری از نانولوله های کربنی موفق به طراحی ترانزیستورهای جدید و بهبود یافته شده اند نانولوله های کربنی د رحقیقت صفحاتی از اتمهای کربن هستند که درون قسمتی غلتک مانند حرکت می کنند و به علت داشتن ویژگیهایی همچون استحکام زیاد 50 برابر فولاد نیمه رسانایی، هدایت گرمایی بالا و ... نر محققان بسیاری را در علوم و صنایع مختلف به خود جلب کرده اند کاربردهای فراوانی از آنها در علوم پزشکی، داروسازی، مکانیک و الکترونیک به ثبت رسیده است مادراین مقاله به بررسی ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی می پردازیم که بهعلت کاهش سرعت سوئیچینگ و بالا بردن توان مصرفی مدارات مجتمع افزایش چشمگیری در بازدهی و مقیاس پذیری ترانزیستورها ایجاد نموده است.

ساخت ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله های کربنی Keywords:

ساخت ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله های کربنی authors

زینب مهربان

کارشناس بیوشیمی

مریم کلاردشت

کارشناس بیوشیمی

لیلا مختاری

لیسانس برق

ارمین فرهنگ

کارشناس علوم ازمایشگاهی

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
_ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
M.S.Avours , Nanotubes for nano electronic , ENN.2004 , (68)631 ...
J.Knoch , Tunneling versus in one dimensiona lsemicond ucrors, physical ...
S.Heinze , J.Tersoff , physical Review Letters.200 , (89)106801 ...
Shengdong Li, NanoLetters , 2004 , (4)753-756, 4 Zhen Yu, ...
Javey, A.et al.High-k dielectrics for advanced ca rbon-na notube transistor ...
Orooji Ali asgha , Journal of Physica E: Low-d imensiona ...
-245-2478(48) م Orooji Ali asgha, Japanese Journal of Applied Physics, ...
Kord rostami Zahir , Sheikhi Mohammad hosein , Journal of ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "ساخت ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله های کربنی" توسط زینب مهربان، کارشناس بیوشیمی؛ مریم کلاردشت، کارشناس بیوشیمی؛ لیلا مختاری، لیسانس برق؛ ارمین فرهنگ، کارشناس علوم ازمایشگاهی نوشته شده و در سال 1389 پس از تایید کمیته علمی اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور، نانولوله های کربنی، عناصر نیمه هادی هستند. این مقاله در تاریخ 8 آبان 1389 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2506 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که ترانزیستورها سیستمهای فعالی هستند که برای تقویت جریان الکتریکی به کار می روند ساختمان داخلی آنها در گذشته تنها از عناصر نیمه هادی سیلیسیوم و ژرمانیم بود اما امروزه محققان با بهره گیری از نانولوله های کربنی موفق به طراحی ترانزیستورهای جدید و بهبود یافته شده اند نانولوله های کربنی د رحقیقت صفحاتی از اتمهای کربن هستند که درون قسمتی ... . برای دانلود فایل کامل مقاله ساخت ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله های کربنی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.