خواص اپتیکی اکسید روی خالص و الاییده شده

Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,235

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP17_219

تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389

Abstract:

خواص اپتیکی اکسید روی خالص و الاییده شده با منگنز در فاز مکعبی بصورتنظری بررسی شده است در انجام محاسبات از نظریه تابعی چگالی برپایه روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی و تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است نتایج محاسبات نشان میدهد که گاف نواری اکسید روی 0/75 الکترون ولت است که باافزودن منگنز به آن گاف افزایش یافته و به 0/9eV می رسد ضریب شکست استاتیکی اکسید روی خالص 2/21 و الاییده با منگنز 1/98 بدست آمده است که در توافق خوبی با نتایج دیگران است.

Authors

حسین اصغر رهنمای علی اباد

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

مرضیه سادات غضنفری

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

فاطمه فروتن

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد

بابک حقیقی

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • C.G. Granqvist, A Hultaker, "Transparent and conducting ITO films: new ...
  • P. Blaha, K. Schwarz, G. Madsen, D. Kvasnicka and J. ...
  • Y. Z. Zhu, G. D. Chen, and H.Ye, " Electronic ...
  • .H.G. Swamy and P.J. Reddy, Semicond. Sci. Technol. 5, 980 ...
  • نمایش کامل مراجع