تاثیر موقعیت لایه ی دی الکتریک در ساختار تورماهی گیری برعملکرد فراماده ای ساختار
Publish place: 17th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2011)
Publish Year: 1389
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 938
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICOPTICP17_221
Index date: 10 November 2010
تاثیر موقعیت لایه ی دی الکتریک در ساختار تورماهی گیری برعملکرد فراماده ای ساختار abstract
دراین مقاله با بررسی ساختار تور ماهی گیری به عنوان نانوساختاری با خاصیت فراماده ی ضریب شکست نوری منفی در گستره ی فرکانسی تراهرتز پرداخته ایم. سپس با اصلاح آن ساختار جدیدی را با خواص فراماده ای با فرکانس عملکردی بالاتر ارائه داده ایم در پایان بهکمک مدل مدار معادل این دو ساختار و بااستفاده از شبیه سازی عددی به روش تفاضل متناهی درحوزه زمان به صورت سه بعدی و براساس مدل درود نشان داده ایم که فرکانس تشدید ساختار پیشنهادی درگستره ی عملکرد فراماده ای حدود 40 تراهرتز نسبت به ساختار اصلی افزایش یافته است.
تاثیر موقعیت لایه ی دی الکتریک در ساختار تورماهی گیری برعملکرد فراماده ای ساختار Keywords:
تاثیر موقعیت لایه ی دی الکتریک در ساختار تورماهی گیری برعملکرد فراماده ای ساختار authors
سیدمحمود گوهری
دانشگاه تربیت مدرس دانشکده فنی مهندسی گروه نانوفناوری
محمدکاظم مروج فرشی
دانشکده مهندسی برق گروه الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :