اثر مدهای نقص برای قطبش TE در کریستال های فوتونیک یک بعدی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 686
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
LPPS01_043
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای یک بعدی نامتقارن با نقص در نظر گرفته شده و با محاسبه ضریب عبور با تغییر طول موج، تغییرات مد نقص بررسی شده است. مشاهده می شود که درون نوار گاف بلور فوتونی یک مد نقص وجود دارد. در قطبش TE با افزایش زاویه فرودی، مد نقص به سمت طول موج های کوتاه تر جابه جا می شود ارتفاع مد نقص تغییر زیادی نمی کند و همچنین با افزایش زاویه فرودی دو مد نقص در نوار گاف مشاهده می شود. همچنین مشاهده شد که با افزایش تعداد سلول های واحد، مکان مد نقص تغییری نمی کند و تنها تاثیر افزایش تعداد سلول های واحد به صورت باریک شدن شکل قله و افزایش تیزی لبه های نوار می باشد. به علاوه با افزایش ضریب شکست و ضخامت لایه ی نقص مدهای نقص به سمت طول موج های بزرگتر حرکت می کنند.
Keywords:
مدهای نقص – قطبشTE– کریستال های فوتونیک
Authors
علی زرگری
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
یدالله هزار جریبی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
میثم کشیری
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان واحد علی آباد کتول دانشگاه آزاد اسلامی علی آباد کتول ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :