طراحی و ساخت راه انداز کلید گازی تایراترون با پهنای پالسهفت میکروثانیه وسطح مثبت یککیلو ولت و سطح منفی 300 ولت
Publish place: 2nd National Conference on Optic and Laser Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,321
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_012
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
Abstract:
تایراترون یکوسیله کلیدزنی است که توانایی تحمل ولتاژ های خیلی بالا (دهها کیلوولت) و عبوردهی جریان های بالا (چندصد آمپر) را دارد . برای دستیابی به قابلیت کلیدزنی جریان بالا و ولتاژ بالا نیاز به یکراه انداز مناسب است.در این مقا له یک راه انداز با پهنای پالسهفت میکروثانیه و سطح مثبتkv1 و سطح منفیv300 جهت عملکرد بهینه تایراترون معرفی می گردد
Keywords:
Authors
علیرضا پژ
دانشگاه صنعتی مالک اشتر - پردیس اصفهان- پژوهشکده علوم و فناوری اپتیک و
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :