سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی

Publish Year: 1390
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,331

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

NCOLE02_164

Index date: 15 March 2011

اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی abstract

در این مقاله اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی بررسی شده است. نشان داده شده است این ساختارها در غیاب بهره دارای گاف باند فوتونی هستند، اما در حضور بهره گاف باند فوتونی ساختار از بین می رود. لذا امواج الکترومغناطیسی با فرکانسی در ناحیه گاف باند میتوانند در بلور فوتونی حاوی بهره منتشر شوند

اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی Keywords:

اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی authors

صمد روشن انتظار

دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران

سعید بیگ زاده

دانشگاه بناب، گروه اپتیک و لیزر، بناب، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان، 28 و 29 اردیبهشت 1390 ...
V.G. Veselago, "The Ele ctrodynamics of substances wvith Simultaneously Negative ...
J.B. Pendry, A. J. Holden, D. J. Robbins and W.J. ...
D. R. Smith, W. J. Padilla, D. C. Vier, S. ...
D.R. Fredkin, A. Ron, "Effectively left-handed (negative index) Composite material", ...
J.Li, L.Zhou, C.T.Chan, P.Sheng, Phys.Rev.Lett, "Photonic Band Gap from a ...
Jiang Hai-Tao, Chen Hong, Li Hong-Qiang, Zhang Ye-Wen, "Omn idirectioal ...
H.T. Jiang, H. Chen, H.Q. Li, Y.W. Zhang, J. Zi, ...
_ _ _ photonic crystals with single-negative material", Physical Review ...
M.de Dios-leyva and J.A. Leyva-Galano, "Influence of م ...
absorption on the zero- n sap _ one-dimens ional photonic ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی" توسط صمد روشن انتظار، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران؛ سعید بیگ زاده، دانشگاه بناب، گروه اپتیک و لیزر، بناب، ایران نوشته شده و در سال 1390 پس از تایید کمیته علمی دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله بلورهای فوتونی، بردار موج بلوخ، گاف باند فاز موثر صفر، مواد تکمنفی هستند. این مقاله در تاریخ 24 اسفند 1389 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1331 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی بررسی شده است. نشان داده شده است این ساختارها در غیاب بهره دارای گاف باند فوتونی هستند، اما در حضور بهره گاف باند فوتونی ساختار از بین می رود. لذا امواج الکترومغناطیسی با فرکانسی در ناحیه گاف باند میتوانند در بلور فوتونی ... . برای دانلود فایل کامل مقاله اثر بهره بر گاف باند فاز موثر صفر در بلورهای فوتونی یکبعدی حاوی مواد تکمنفی با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.