بررسی اثر تورفتگی گیت در سمت درین در ترانزیستور اثرمیدان فلز نیمه هادی در تکنولوژی سیلسیم روی عایق(SOIMESFET )با یک تکه اکسید اضافی بر مشخصات الکتریکی
Publish place: 6th National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 311
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF06_319
تاریخ نمایه سازی: 22 آذر 1399
Abstract:
در این مقاله با ارائه ساختار پیشنهادی، اثر تورفتگی گیت در سـمت دریـن در ترانزیسـتور اثرمیـدان فلـز نیمه هادی در تکنولوژی سیلسیم روی عایق با یک تکه اکسید اضافی شبیه سازی شده است. با اعمال تو رفتگی در گیـت، افزایش 18 درصدی ولتاژ شکست، افزایش 2/5 برابری جریان درین و افزایش 128 درصدی بیشینه توان خروجی در مقایسه با ساختار ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی در تکنولوژی سیلسیم روی عایق با اکسید اضافی بدون تـو رفتگـی گیـت (ساختار قابل مقایسه) حاصل شده است. نتایج این مقاله، بهبود عملکرد افزاره در کاربردهای ولتاژ بالا و توان بالا را نشـان میدهد.
Keywords:
Authors
سوزان ساسانیان
کارشناس ارشد، گروه مهندسی برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران
فاطمه کهنی خشکبیجاری
استادیار، گروه مهندسی برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران