بررسی مشخصه های الكتریكی نانو ترانزیستور بدون پیوند با آلایش نامتقارن
Publish place: Fourth International Conference on Technology Development in Iranian Electrical Engineering
Publish Year: 1399
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 481
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECMCONF04_021
Index date: 26 December 2020
بررسی مشخصه های الكتریكی نانو ترانزیستور بدون پیوند با آلایش نامتقارن abstract
در اين مقاله، مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور بدون پيوند با آلايش نامتقارن مورد بررسي قرار گرفته است و نتايج آن با مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور بدون پيوند متداول مورد مقايسه قرار گرفته است. برخلاف ترانزيستور بدون پيوند متداول كه داراي آلايش يكساني در سورس، درين و كانال است، در افزاره با آلايش نامتقارن، آلايش كانال كمتر از سورس و درين در نظر گرفته شده است. در اين حالت جريان حالت خاموش به ميزان قابل توجهي كاهش پيدا كرده و نسبت جريان روشن به خاموش نسبت به افزاره بدون پيوند متداول افزايش مي يابد. كانتور دو بعدي تغييرات جريان حالت خاموش به ازاي تغييرات آلايش كانال و تابع كار گيت نيز محاسبه گرديده است كه در بهينه سازي مشخصه الكتريكي افزاره نقش مهمي دارد.
بررسی مشخصه های الكتریكی نانو ترانزیستور بدون پیوند با آلایش نامتقارن Keywords:
بررسی مشخصه های الكتریكی نانو ترانزیستور بدون پیوند با آلایش نامتقارن authors
علی اصغر صادقی
کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری
زهرا آهنگری
استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری