بررسی مشخصه های الكتریكی نانو ترانزیستور بدون پیوند با آلایش نامتقارن

در اين مقاله، مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور بدون پيوند با آلايش نامتقارن مورد بررسي قرار گرفته است و نتايج آن با مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور بدون پيوند متداول مورد مقايسه قرار گرفته است. برخلاف ترانزيستور بدون پيوند متداول كه داراي آلايش يكساني در سورس، درين و كانال است، در افزاره با آلايش نامتقارن، آلايش كانال كمتر از سورس و درين در نظر گرفته شده است. در اين حالت جريان حالت خاموش به ميزان قابل توجهي كاهش پيدا كرده و نسبت جريان روشن به خاموش نسبت به افزاره بدون پيوند متداول افزايش مي يابد. كانتور دو بعدي تغييرات جريان حالت خاموش به ازاي تغييرات آلايش كانال و تابع كار گيت نيز محاسبه گرديده است كه در بهينه سازي مشخصه الكتريكي افزاره نقش مهمي دارد.

Keywords:

ترانزیستور بدون پیوند , تابع کار گیت , جریان حالت خاموش , ناحیه تخلیه شده