بهینه سازی مشخصه های الكتریكی ترانزیستور دو گیتی بدون پیوند با بایاس گیت نامتقارن در ابعاد نانو
Publish place: Fourth International Conference on Technology Development in Iranian Electrical Engineering
Publish Year: 1399
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 506
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECMCONF04_030
Index date: 26 December 2020
بهینه سازی مشخصه های الكتریكی ترانزیستور دو گیتی بدون پیوند با بایاس گیت نامتقارن در ابعاد نانو abstract
در اين مقاله، مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور دو گيتي بدون پيوند با باياس گيت نامتقارن و باياس گيت متقارن مورد بررسي قرار گرفته است. در ترانزيستور بدون پيوند با باياس متقارن گيت بالا و گيت پايين داراي ولتاژ مثبت برابري هستند. اين در حالي است كه در ترانزيستور با باياس گيت نامتقارن، گيت بالا داراي ولتاژ مثبت و گيت پايين داراي ولتاژ منفي است. با افزايش باياس منفي گيت، جريان حالت خاموش كاهش يافته و منجر به افزايش نسبت جريان روشن به خاموش ميگردد. اثر تابع كار گيت بر مشخصه الكتريكي ترانزيستور مورد بررسي قرار گرفته است و بر اين اساس، با افزايشتابع كار گيت، مقدار ولتاژ منفي گيت پايين كاهش مي يابد.
بهینه سازی مشخصه های الكتریكی ترانزیستور دو گیتی بدون پیوند با بایاس گیت نامتقارن در ابعاد نانو Keywords:
بهینه سازی مشخصه های الكتریكی ترانزیستور دو گیتی بدون پیوند با بایاس گیت نامتقارن در ابعاد نانو authors
علی اصغر صادقی
کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری
زهرا آهنگری
استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری.