بهینه سازی مشخصه های الكتریكی ترانزیستور دو گیتی بدون پیوند با بایاس گیت نامتقارن در ابعاد نانو

در اين مقاله، مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور دو گيتي بدون پيوند با باياس گيت نامتقارن و باياس گيت متقارن مورد بررسي قرار گرفته است. در ترانزيستور بدون پيوند با باياس متقارن گيت بالا و گيت پايين داراي ولتاژ مثبت برابري هستند. اين در حالي است كه در ترانزيستور با باياس گيت نامتقارن، گيت بالا داراي ولتاژ مثبت و گيت پايين داراي ولتاژ منفي است. با افزايش باياس منفي گيت، جريان حالت خاموش كاهش يافته و منجر به افزايش نسبت جريان روشن به خاموش ميگردد. اثر تابع كار گيت بر مشخصه الكتريكي ترانزيستور مورد بررسي قرار گرفته است و بر اين اساس، با افزايشتابع كار گيت، مقدار ولتاژ منفي گيت پايين كاهش مي يابد.

Keywords:

ترانزیستور بدون پیوند , بایاس نامتقارن گیت , ولتاژ آستانه , ناحیه تخلیه شده , ترانزیستور دو گیتی