محاسبة خواص ساختاری و الکترونی ترکیبات نیم‌رسانای III- V با استفاده از تابعی‌های پیشرفته نظریة تابعی چگالی

Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 293

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-20-1_004

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399

Abstract:

در این پژوهش خواص ساختاری و الکترونی ترکیبات نیم‌رسانای III- V با استفاده از محاسبات نظریة تابعی چگالی به روش امواج تخت بهبود یافته خطی بررسی شده‌اند. پس از بررسی چندین تابعی تبادلی- همبستگی، مشخص شد که تابعی‌های SOGGA و GGA- WC گزینه‌های مناسبی برای محاسبه خواص ساختاری ترکیبات مورد نظر هستند. برای محاسبة خواص الکترونی و به ویژه گاف انرژی، تابعی GGA- EV و پتانسیل تبادلی TB- mBJ همراه با تصحیح اسپین- مدار مورد تأیید قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهند که پتانسیل تبادلی TB- mBJ+SOC گاف نواری این ترکیبات را با دقت بسیار خوبی محاسبه می‌کند. در مورد موادی مانند TlAs که گاف منفی دارند، مشخص شد که پتانسیل تبادلی TB- mBJ قادر به پیش‌بینی این گاف نیست و در حقیقت گاف بر روی صفر تنظیم می‌شود. برای محاسبة جرم مؤثر نیز از چندین روش استفاده شد و پس از مقایسه با داده‌های تجربی مشخص شد که، تابعی‌های GGA- PBE و GGA- EV این کمیت را به ‌ترتیب برای مواد با گاف کوچک و گاف بزرگ با دقت خوبی محاسبه می‌کنند و البته بهترین نتایج جرم مؤثر با روش تابعی هیبرید HSEbgfit به ‌دست آمد. همچنین، نتایج نشان می‌دهند که تصحیح اسپین- مدار باعث می‌شود تا نتایج جرم مؤثر محاسبه شده به مقادیر تجربی نزدیک‌تر شوند.

Authors

علیمحمد نیکو

مجتمع دانشگاهی علوم کاربردی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر

حسین صادقی

مجتمع دانشگاهی علوم کاربردی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر

علی عرب

مجتمع دانشگاهی علوم کاربردی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر

سید جواد هاشمیفر

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • A Assali, M h Bouslama, A Reshak, S Zerroug, and ...
  • M Hadjab, S Berrah, H Abid, M I Ziane, H ...
  • M Othman, E Kasap, and N Korozlu, Journal of Alloys ...
  • M Ferhat and A Zaoui, Physical Review B73 (2006) 115107. ...
  • A H Reshak, H Kamarudin, S Auluck, and I Kityk, ...
  • S Z Karazhanov and L L Y Voon, Semiconductors39 (2005) ...
  • R Ahmed, S J Hashemifar, H Akbarzadeh, and M Ahmed, ...
  • P Hohenberg and W Kohn, Physical Review 136 (1964) B864. ...
  • S Mankefors and S Svensson, Journal of Physics: Condensed Matter,12 ...
  • S Gulebaglan, E Dogan, M Aycibin, M Secuk, B Erdinc, ...
  • Y Yao, D König, and M Green, Solar Energy Materials ...
  • M Aslan, B G Yalçın, and M Üstündağ, Journal of ...
  • Z Feng, H Hu, S Cui, W Wang, and C ...
  • 14. ح تشکری، ف کنجوری و ع نجاتی، مجله پژوهش ...
  • 15. ح باده‌یان، ح صالحی و م فربد، مجله پژوهش ...
  • 16. ر فتحی و ط مولاروی، مجله پژوهش فیزیک ایران ...
  • J P Perdew, Physical Review B33 (1986) 8822. ...
  • H Mazouz, A Belabbes, A Zaoui, and M Ferhat, Superlattices ...
  • L Shi, Y Duan, and L Qin, Computational Materials Science ...
  • Z Wu and R E Cohen, Physical Review B73 (2006) ...
  • Y Zhao and D G Truhlar, The Journal of Chemical ...
  • F Tran and P Blaha, Physical Review Letters 102 (2009) ...
  • F E H Hassan, A Postnikov, and O Pagès, Journal ...
  • M I Ziane, Z Bensaad, T Ouahrani, and H Bennacer, ...
  • M Van Schilfgaarde, A B Chen, S Krishnamurthy, and A ...
  • J ZHOU, X- M REN, Y- Q HUANG, Q WANG, ...
  • S Kacimi, H Mehnane, and A Zaoui, Journal of Alloys ...
  • P Haas, F Tran, and P Blaha, Physical Review B79 ...
  • B Peter, et al, Journal of Chemical Physics 152.7 (2020) 074101. ...
  • J P Perdew, K Burke, and M Ernzerhof, Errata:(1997) Physical ...
  • E Engel and S H Vosko, Physical Review B47 (1993) ...
  • F Tran, P Blaha, and K Schwarz, Journal of Physics: ...
  • I Bhat, Wide Bandgap Semiconductor Power Devices (2019) 43. ...
  • J Heyd, G E Scuseria, and M Ernzerhof, The Journal ...
  • F Murnaghan, Proceedings of the National Academy of Sciences of ...
  • C Filippi, D J Singh, and C J Umrigar, Physical ...
  • S Hussain, S Dalui, R Roy, and A Pal, Journal ...
  • S Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group- IV, III- V ...
  • R Ahmed, S J Hashemifar, H Rashid, and H Akbarzadeh, ...
  • O Madelung, Semiconductors: Data Handbook: Springer Science & Business Media ...
  • G B Akyüz, A Tunali, S Gulebaglan, and N Yurdasan, ...
  • D Koller, F Tran, and P Blaha, Physical Review B85 ...
  • M I Ziane, Z Bensaad, B Labdelli, and H Bennacer, ...
  • O Madelung, New series (1982) 571. ...
  • I Vurgaftman, J á Meyer, and L á Ram- Mohan, ...
  • A Owens and A Peacock, Nuclear Instruments and Methods in ...
  • Y- S Kim, M Marsman, G Kresse, F Tran, and ...
  • Y Wang, H Yin, R Cao, F Zahid, Y Zhu, ...
  • نمایش کامل مراجع