مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 19، Issue: 1
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 372
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-19-1_010
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
Abstract:
در این پژوهش، با استفاده از روش امواج تخت در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ضرایب مستقل کشسانی، تنش و کرنش پیزوالکتریک در دو حالت یون منجمد و یون واهلش برای هفت مورد از ترکیبات دو بعدی پایدار XY (X:B,Al,Ga,In ; Y:N,P,As,Sb) با ساختار شش گوشی محاسبه شدهاند. محاسبات ضرایب از روشهای نظریه تابعی چگالی اختلالی(DFPT) و تغییرات معین (FD) با توافق بسیار خوب صورت گرفته است. در نتایج نشان داده شده است که هفت ترکیب GaN, AlN, BSb, BAs, BP, BN و InN ساختاری لانه زنبوری و قطبیده دارند و این دسته از مواد به دلیل تقارن سه گانه فقط دارای دو ضریب مستقل کشسانی و یک ضریب مستقل تنش یا کرنش پیزوالکتریک میباشند. از میان هفت مورد، بیشترین ضرایب کرنش پیزوالکتریک در حالت یون واهلش برای AlN با ضریب d11=3.05 pm/V و InN با ضریب d11=7.01 pm/V برآورد شده است. این گروه از مواد دوبعدی قطبیده که به طور همزمان دارای خاصیت نیمرسانایی و پیزوالکتریکی هستند، کاندیدای خوبی برای کاربرد در شاخه جدید نانوتکنولوژی به نام نانوپیزوترونیک می باشند.
Keywords:
Authors
صادق نوروزی
دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک
ناصر شاه طهماسبی
دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک
محمد بهدانی
دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک
محمود رضائی رکن آباد
دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :