سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه

Publish Year: 1398
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 417

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_PSI-19-1_010

Index date: 20 February 2021

مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه abstract

در این پژوهش، با استفاده از روش امواج تخت در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ضرایب مستقل کشسانی، تنش و کرنش پیزوالکتریک در دو حالت یون منجمد و یون واهلش برای هفت مورد از ترکیبات دو بعدی پایدار XY (X:B,Al,Ga,In ; Y:N,P,As,Sb) با ساختار شش گوشی محاسبه شده‎اند. محاسبات ضرایب از روش‎های نظریه تابعی چگالی اختلالی(DFPT)  و تغییرات معین (FD) با توافق بسیار خوب صورت گرفته است. در نتایج نشان داده شده است که هفت ترکیب GaN, AlN, BSb, BAs, BP, BN و InN ساختاری لانه زنبوری و قطبیده دارند و این دسته از مواد به دلیل تقارن سه گانه فقط دارای دو ضریب مستقل کشسانی و یک ضریب مستقل تنش یا کرنش پیزوالکتریک می‎باشند. از میان هفت مورد، بیشترین ضرایب کرنش پیزوالکتریک در حالت یون واهلش برای  AlN با ضریب d11=3.05 pm/V و InN با ضریب d11=7.01 pm/V برآورد شده است. این گروه از مواد دوبعدی قطبیده که به طور همزمان دارای خاصیت نیمرسانایی و پیزوالکتریکی هستند، کاندیدای خوبی برای کاربرد در شاخه جدید نانوتکنولوژی به نام نانوپیزوترونیک می باشند.

مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه Keywords:

پیزوالکتریسیته , مواد دوبعدی , ترکیبات دوتایی III , V , نظریه تابعی چگالی اختلالی

مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه authors

صادق نوروزی

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

ناصر شاه طهماسبی

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

محمد بهدانی

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

محمود رضائی رکن آباد

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
[1] Hye Jung Kim, Mohammad Noor-A-Alam, Jong Yeog Son, Young-Han ...
[2] B. Y. Lee et al, Virus-based piezoelectric energy generation ...
[3] S.R. Anton, H.A. Sodano, A review of power harvesting ...
[4] S. P. Li et al., Size effects in nanostructured ...
[5] D. D. Fong et al., Ferroelectricity in ultrathin perovskite ...
[6] X. Quan, C. W. Marvin, L. Seebald, G. R. ...
[7] T. Shimada, X. Wang, Y. Kondo, T. Kitamura, Absence ...
Review Letters 108 (2012). ...
[8] Z. L. Wang, The new field of nanopiezotronics, Mater. ...
[9] C. J. Chang et al, A large area bimaterial ...
[10] Z. L. Wang and J. Song, Piezoelectric Nanogenerators Based ...
[11] K.S. Novoselov et al, Electric Field Effect in Atomically ...
[12] Chuan-Jia Tong et al, New manifold two-dimensional single-layer structures ...
[13] Michael N. Blonsky et al., Ab Initio Prediction of ...
[14] Xifan Wu, David Vanderbilt, and D. R. Hamann, Systematic ...
[15] D. Vanderbilt, Berry-phase theory of proper piezoelectric response, Phys. ...
[16] R. D. King-Smith and D. Vanderbilt, Theory of polarization ...
[17] X. Gonze et al, ABINIT: First-principles approach to material ...
[18] H. Şahin et al, Monolayer honeycomb structures of group-IV ...
[19] Karel-Alexander et al, Intrinsic Piezoelectricity in Two-Dimensional Materials, Phys. ...
[20] Bechmann, R. Elastic and Piezoelectric Constants of Alpha-Quartz. Phys. ...
[21] Lueng, C. M.; Chan, H. L. W.; Surya, C.; ...
[22] Low, T. S.; Guo, W. Modeling of a Three-Layer ...
[23] K. H. Michel and B. Verberck, Theory of elastic ...
نمایش کامل مراجع