ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه

Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 19، Issue: 1
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 372

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:
https://civilica.com/doc/1157637

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-19-1_010

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399

Abstract:

در این پژوهش، با استفاده از روش امواج تخت در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ضرایب مستقل کشسانی، تنش و کرنش پیزوالکتریک در دو حالت یون منجمد و یون واهلش برای هفت مورد از ترکیبات دو بعدی پایدار XY (X:B,Al,Ga,In ; Y:N,P,As,Sb) با ساختار شش گوشی محاسبه شده‎اند. محاسبات ضرایب از روش‎های نظریه تابعی چگالی اختلالی(DFPT)  و تغییرات معین (FD) با توافق بسیار خوب صورت گرفته است. در نتایج نشان داده شده است که هفت ترکیب GaN, AlN, BSb, BAs, BP, BN و InN ساختاری لانه زنبوری و قطبیده دارند و این دسته از مواد به دلیل تقارن سه گانه فقط دارای دو ضریب مستقل کشسانی و یک ضریب مستقل تنش یا کرنش پیزوالکتریک می‎باشند. از میان هفت مورد، بیشترین ضرایب کرنش پیزوالکتریک در حالت یون واهلش برای  AlN با ضریب d11=3.05 pm/V و InN با ضریب d11=7.01 pm/V برآورد شده است. این گروه از مواد دوبعدی قطبیده که به طور همزمان دارای خاصیت نیمرسانایی و پیزوالکتریکی هستند، کاندیدای خوبی برای کاربرد در شاخه جدید نانوتکنولوژی به نام نانوپیزوترونیک می باشند.

Keywords:

Authors

صادق نوروزی

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

ناصر شاه طهماسبی

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

محمد بهدانی

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

محمود رضائی رکن آباد

دانشگاه فردوسی مشهد -دانشکده علوم- گروه فیزیک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • [1] Hye Jung Kim, Mohammad Noor-A-Alam, Jong Yeog Son, Young-Han ...
  • [2] B. Y. Lee et al, Virus-based piezoelectric energy generation ...
  • [3] S.R. Anton, H.A. Sodano, A review of power harvesting ...
  • [4] S. P. Li et al., Size effects in nanostructured ...
  • [5] D. D. Fong et al., Ferroelectricity in ultrathin perovskite ...
  • [6] X. Quan, C. W. Marvin, L. Seebald, G. R. ...
  • [7] T. Shimada, X. Wang, Y. Kondo, T. Kitamura, Absence ...
  • Review Letters 108 (2012). ...
  • [8] Z. L. Wang, The new field of nanopiezotronics, Mater. ...
  • [9] C. J. Chang et al, A large area bimaterial ...
  • [10] Z. L. Wang and J. Song, Piezoelectric Nanogenerators Based ...
  • [11] K.S. Novoselov et al, Electric Field Effect in Atomically ...
  • [12] Chuan-Jia Tong et al, New manifold two-dimensional single-layer structures ...
  • [13] Michael N. Blonsky et al., Ab Initio Prediction of ...
  • [14] Xifan Wu, David Vanderbilt, and D. R. Hamann, Systematic ...
  • [15] D. Vanderbilt, Berry-phase theory of proper piezoelectric response, Phys. ...
  • [16] R. D. King-Smith and D. Vanderbilt, Theory of polarization ...
  • [17] X. Gonze et al, ABINIT: First-principles approach to material ...
  • [18] H. Şahin et al, Monolayer honeycomb structures of group-IV ...
  • [19] Karel-Alexander et al, Intrinsic Piezoelectricity in Two-Dimensional Materials, Phys. ...
  • [20] Bechmann, R. Elastic and Piezoelectric Constants of Alpha-Quartz. Phys. ...
  • [21] Lueng, C. M.; Chan, H. L. W.; Surya, C.; ...
  • [22] Low, T. S.; Guo, W. Modeling of a Three-Layer ...
  • [23] K. H. Michel and B. Verberck, Theory of elastic ...
    • نمایش کامل مراجع