خواص ترابرد الکتریکی در نیم‌رسانای کپه‎‌ای ZnO و ساختارهای ناهمگون C/ZnO و ZnMgO/ZnO/ZnMgO

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 236

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-18-3_018

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399

Abstract:

در این مقاله، به بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی داده‌های تجربی گزارش شده (مرجع [20])، مربوط به نیم‌رسانای کپه‌ای ZnO و ساختارهای ناهمگون با چاه پتانسیل تکی و دوگانه ZnMgO/ZnO/ZnMgO و ZnMgO/ZnO پرداخته شده و مهم‌ترین پارامترهای پراکندگی کنترل کننده تراکم و تحرک الکترونی به دست آمده‌اند. بدین ‌منظور از سازوکارهای پراکندگی ذاتی نظیر فنون‌های اپتیکی- قطبی، فنون‌های پیزوالکتریک و پتانسیل تغییر شکل آکوستیکی و پراکندگی غیرذاتی نظیر ناخالصی‌های یونیزه، در رفتگی‌ها و میدان‌های کرنشی- القایی استفاده شده است. به منظور از بین بردن اثرات لایه تبهگن در سطح مشترک ZnO/sapphire داده‌های تجربی مربوط به نیم‌رسانای کپه‌ای ZnO با استفاده از مدل دولایه‌ای اثر هال تصحیح شده‌اند. همچنین، تراکم بخشنده‌ها و پذیرنده‌ها و انرژی فعالسازی مربوط به آنها با استفاده از معادله خنثایی بار به دست آمده‌اند. نتایج به دست آمده حاکی از آن است که برای دماهای کوچکتر از 50 کلوین، رسانش جهشی سازوکار رسانندگی غالب می‌باشد و پراکندگی ناشی از دررفتگی‌ها کنترل کننده رفتار دمایی تحرک الکترونی در سرتاسر گستره دمایی می‌باشد. در مورد ساختار‌های ناهمگون، نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که افزایش تحرک الکترونی در نمونه با چاه پتانسیل دوگانه نسبت به نمونه با چاه پتانسیل تکی به کاهش تراکم در رفتگی‌ها، تراکم ناخالصی‌ها در چاه پتانسیل، بار سطح مشترک و میدان های کرنشی- القایی نسبت داده می‌شود که در نتیجه محصور سازی الکترونی قویتر در کانال رسانشی به دست آمده است.   

Authors

محمد امیرعباسی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان

اسماعیل عبدالحسینی سارسری

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • 1. J Dai, X Han, Z Wu, Y Fang, H Xiong, ...
  • 2. L Meng, L Zheng, L Cheng, G Li, L Huang, ...
  • 3. K Park and H Hwang, J Seo, and W-S Seo, ...
  • 4. C Pholnak, S Suwanboon, and C Sirisathitkul, J. Materials Science: ...
  • 5. H Morkoc and U Ozgur, “Zinc Oxide Fundamentals, Materials and ...
  • 6. C Wang, R Boa, K Zhao, T Zhang, and L ...
  • 7. H Wang, Y Zhao, C Wu, X Dong, B Zhang, ...
  • 8. J Kwon, Y K Hong, H-J Kwon, Y Park, B ...
  • 9. L Guoa, H Zhanga, and D Zhaoa, B Lia, Z ...
  • 10. Z F Shi, Y T Zhang, X J Cui, S ...
  • 11. M Szymański, H Teisseyre, and A Kozaneck, Physica Status Solidi ...
  • 12. J Bian, X Kou, Z Zhang, Y Zhang, J Sun, ...
  • 13. L Sang, S Y Yang, G P Liu, G J ...
  • 14. H C Wang, C H Liao, Y L Chueh, C ...
  • 15. P Kuznetsov, V Lusanov, G Yakushcheva, V Jitov, L Zakharov, ...
  • 16. P Barquinha, E Fortunato, A Goncalves, A Pimmentel, A Marques, ...
  • 17. M Amirabbasi, Modern Phys. Lett. B 27 (2013) 1350170. ...
  • 18. X Ji, Y Zhu, M Chen, L Su, A Chen, ...
  • 19. L Meng, J Zhang, Q Li, and X Hou, Journal ...
  • 20. J Ye, S T Lim, M Bosman, S Gu, Y ...
  • 21. D C Look, “Electrical Characterization of GaAs Material and Devices”, ...
  • 22. D C Look, D C Reynolds, J R Sizelove, R ...
  • 23. E Furno, F Bertazzi, M Goano, G Ghione, and E ...
  • 24. D L Rode, Low-field Electron Transport, Semiconductors and Semimetals 10 ...
  • 25. D A Anderson and N Aspley, Semicond., Sci. Technol. 1 ...
  • 26. H Ehrenreich, J. Phys. Chem. and Solids 8 (1995) 130. ...
  • 27. H Brooks, Phys. Rev. 83 (1951) 879. ...
  • 28. H Tang, W Kim, A Botchkarev, G Popovici, F Hamdani, ...
  • 29. B Podor, Phys. Status Solidi 16 (1966) K167. ...
  • 30. D C Look and R J Monlar, Appl. Phys. Lett. ...
  • 31. B K Ridley, J. Phys. C 15 (1982) 5899. ...
  • 32. K Hirakawa and H Sakaki, Phys. Rev. B 33 (1986) ...
  • 33. K Lee, M S Shur, T J Drummond, and H ...
  • 34. P K Basu and B R Nag, Phys. Rev. B ...
  • 35. J P Price, Ann. Phys. 133 (1981) 217. ...
  • 36. P J Price and J Vac, Sci. Technol. 19 (1981) ...
  • 37. K Hess, Appl. Phys. Lett. 35 (1979) 484. ...
  • 38. C T Sah, T H Ning, and L L Tscopp, ...
  • 39. S D Sarma and F Stern, Phys. Rev. B 32 ...
  • 40. J H Davies, “The Physics of Low Dimensional Semiconductors”, Cambridge ...
  • 41. D C Look, R L Jones, J R Sizelove, N ...
  • 42. F Vigue, P Vennegues, C Deparis, S Vezian, M Laugt, ...
  • 43. J A Davis and C Jagadish, Laser Photon. Rev. 3 ...
  • 44. N G Weimann, L F Eastma, D Doppalapudi, H M ...
  • 45. T Ando, A B Fowler, and F Stren, Rev. Mod. ...
  • نمایش کامل مراجع