ارائه ساختاری جهت شبیه سازی یک ترانزیستور دوقطبی ( bipolar )بر اساس کاشت یونی آرسنیک
Publish place: National conference on electrical and electronics industry
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 405
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EEICONF01_003
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
Abstract:
کاشت بون یکی از مهمترین روش نفوذ ناخالصی به درون ويفر در صنایع قطعه سازی الکترونیک و میکروالکترونیک است و نسبت به روش دیگر (نفوذ) مزایای بسیاری را دارد و کاشت یون فرآیندی در مهندسی است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد و یک فناوری قوی و دقیق در ساخت آی سی های مهم و پیشرفته است. در این مقاله یک ساختار جدیدی برای ترانزیستورهای دو قطبی ارائه می شود که ناحیه امیتر و بیس با استفاده از کاشت یونی آرسنیک ایجاد می شوند. شبیه سازی ها نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده می تواند جایگزین بسیار خوبی برای ترانزیستورهای دوقطبی متداول باشد.
Keywords:
ترانزیستور دوقطبی - کاشت یون - نفوذ
Authors
عبدالکریم جعفرخراطی
خوزستان، دزفول گروه مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران