بررسی ترانزیستورهای نانو
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 281
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICIRES08_009
تاریخ نمایه سازی: 25 اسفند 1399
Abstract:
اثرات دوپینگ روی عملکرد ترانزیستورهای اثر-میدانی (CNT) نانولوله کربنی برای هر دو مانع-شاتکی (SB) صفر و اتصالات نانولوله کربنی دوپ شده به لحاظ نظری بررسی شده اند. برای CNTFETs فوق العاده کوچک که در آن اتصالات فلزی سورس/درین با 50 نانومتر فاصله از هم قرار می گیرند، هیچ CNTFET با اتصال -MOSFETمانند (C-CNTFET) با یک نسبت جریان روشن / خاموش قابل قبول با استفاده از CNT با قطر 1,5≥ نانومتر و یک ولتاژ سورس/درین V 0,4≥ وجود ندارد. برای CNTFETs با اتصالات فلزی سورس/درین 50نانومتر یا 100 نانومتر از هم جدا، غلظت دوپینگ بهینه شده دوپ کننده در هر اتم وجود دارد. حداکثر نسبت های جریان روشن /خاموش برای 50 CNT نانومتر/ گیت 5 نانومتر و 100 CNT نانومترSB-CNTFETs / گیت 10 نانومتر به ترتیب و بودند. معیارهای عملکرد زمان تاخیر، فرکانس قطع، و فرکانس LC ارائه و مقایسه می شوند.
Keywords:
نانولوله کربنی دوپ شده , اتصال فلزی دوپ شده سورس / درین , ترانزیستور اثر میدانی , شکاف بین سورس/درین , اتصال مانع شاتکی صفر.
Authors
الهام محمدی
کارشناسی ارشد معماری سیستم های کامپیوتری ، مدرس دانشگاه فنی و حرفه ای کرمان
آیدا حاج محمدی
دانشجوی رشته کامپیوتر، دانشکده حضرت فاطمه(س)، دانشگاه فنی و حرفه ای استان کرمان-ایران