بررسی اثر زمان استراحت بر فرآیند الکتروانباشت آرایه های نانوسیم CoCr درون قالب آلومینا آندی متخلخل
Publish place: 21st National Conference on Surface Engineering
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 448
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE21_048
تاریخ نمایه سازی: 22 اردیبهشت 1400
Abstract:
در پژوهش پیشرو به منظور بررسی اثر زمان استراحت بر فرآیند الکتروانباشت پالس تناوبی، آرایه های نانوسیمCoCr با زمان استراحت صفر و ۵۰ میلی ثانیه درون نانوحفره های قالب آلومینا آندایز شده به روش نرم رشد دادهشدهاند. خواص ریزساختاری نانوسیم های تهیه شده با استفاده از آزمون پراش پرتو ایکس (XRD) و تصاویرمیکروسکوپی الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و خواص مغناطیسی از طریق مغناطیس سنج نمونهارتعاشی (VSM) مورد ارزیابی قرار گرفته است. ساختار منظم و شش گوشی قالب آلومینا متخلخل جهت انباشتبا قطر و طول تقریبی، به ترتیب ۳۰ نانومتر و ۲۴ میکرومتر و همچنین انباشت نانوسیم ها به وسیله تصاویرمیکروسکوپی الکترونی روبشی تایید شده اند. بررسی های انجام شده از حلقه های پسماند مغناطیسی حاکی از آناست که با افزایش زمان استراحت، خواص مغناطیسی نیز افزایش پیدا کرده است. این روند افزایشی را می توان بهشدت گرفتن پیک های کبالت و کروم در طیفه ای پراش اشعه ایکس نمونه ساخته شده با زمان استراحت ۵۰میلی ثانیه نسبت داد. زیرا افزایش شدت پیک، نشان از افزایش انباشت مقدار عنصری بوده بنابراین مقدار مغناطشنیز افزایش یافته است.
Keywords:
Authors
معصومه خوش نیت
اصفهان، شاهین شهر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده مهندسی مواد (دانشجوی کارشناسی ارشد)
سمیرا سامانی فر
اصفهان، شاهین شهر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده مهندسی مواد (پست دکتری)
علی قاسمی
اصفهان، شاهین شهر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده مهندسی مواد (استاد)
ابراهیم پایمزد
اصفهان، شاهین شهر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، دانشکده مهندسی مواد (دانشجوی دکتری)