بررسی و مقایسه روشهای ساخت ترانزیستور تک الکترون
Publish place: 14th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,650
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE14_050
تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390
Abstract:
اخیراً، ترانزیستورهای تک الکترون، بدلیل حساسیت بالای خود به بار الکتریکی، مصرف پایین برق و چگالی بالای مجتمعسازی کاربردهای گستردهای پیدا کردند. یکی از اولین کاربردهایSET بصورت سنسور بار است که با دستگاههای میکروسکوپ قابل اندازهگیری می- باشد. این اندازهگیریها نیاز به حساسیت کافی برای تشخیص حرکت بار، به اندازه یک الکترون دارد. برای قابل اعتماد و تجدیدپذیر بودن چنین آزمایشاتی، فرایند ساخت بسیار مهم میباشد. در این مقاله، ما روشهای ساخت و برخی نتایج تجربی را بررسی و مقایسه مینماییم. هریک از روشهای بررسی شده مزایای منحصر بفرد خود را دارا میباشد که بسته به نیاز، فرایند مورد نظر انتخاب میگردد. برای مثال، روش تبخیر دو زاویهای، روشی خود تنظیم؛ روشEBL ساده، انعطافپذیر و قابل کنترل میباشد، روشFIB تونلزنی قوی و تولید یکنواخت در مقیاس نانو دارد PADOX خود تنظیم و ساده است. روشSTM که برای ساخت انواعSET میرود فرایند سریعی دارد و قطعه میتواند در دمای اتاق عمل کند. همچنین در روشAFM میتوان موقعیت و اندازه جزیره را کنترل نمود، روش نقطه کوانتومی، خود تنظیم و خود آرا است و روش دیوار کناری قابلیت مجتمعسازی و ساخت در اندازههای کوچک و چگالی بستهبندی بالا را دارد.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :