وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 10، Issue: 2
Publish Year: 1398
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 493
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-10-2_001
Index date: 29 May 2021
وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si abstract
اتصالات فلز – نیمرسانای شاتکی بعنوان بخش پیچیده قطعات نیمرسانا و صنعت الکترونیک مورد توجه بوده اند. در این مقاله دیودهای شاتکی Al/p-Si به روش لایه نشانی تبخیر حرارتی بر بستر سیلیکان نوع پذیرنده ساخته و بر اساس نظریه گسیل گرما یونی مشخصه یابی شدند. پارامترهای فاکتور ایده آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس، با انداز ه گیری منحنی جریان- ولتاژ (I-V) دیودهای بازپخت شده در محدوده دمایی °C ۱۰۰-۳۵۰ بدست آمدند. تاثیر بازپخت بر پارامترهای دیود سد شاتکی بررسی و مشخص شد که دمای بهینه بازپخت °C ۲۵۰ می باشد. سپس مشخصه جریان- ولتاژ دیودهای ساخته شده در گستره دمایی ۳۰۰-۱۵ کلوین اندازه گیری و فاکتور ایده آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس تعیین گردید. مشخص شد با کاهش دمای دیود، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس کاهش، اما فاکتور ایده آل افزایش می یابد. در خاتمه ارتفاع سد شاتکی و ثابت ریچاردسون دیود مذکور با در نظر گرفتن توزیع گاوسی ارتفاع سد محاسبه شدند. مقدار بزرگ و غیر منتظره فاکتور ایده آل را می توان با پراکندگی حامل ها از اتمهای Al نفوذ یافته به نیمرسانا در نزدیکی میانگاه Al/Si توجیه کرد.
وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si Keywords:
وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si authors
محمدعلی صادق زاده
دانشگاه یزد- دانشکده فیزیک- عضو هیات علمی
عاطفه توکلی
فارغ التحصیل ارشد دانشکده فیزیک- دانشگاه یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :