سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی و شبیه سازی حافظه چهار ترانزیستوری و دو ممریستوری با کمترین توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان

Publish Year: 1400
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 399

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_JIPET-12-47_004

Index date: 11 July 2021

طراحی و شبیه سازی حافظه چهار ترانزیستوری و دو ممریستوری با کمترین توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان abstract

ممریستور به­عنوان عنصر اساسی حافظه­های اصلی یا پنهان SRAM و DRAM، می­تواند به­صورت موثری زمان راه­اندازی و توان مصرفی مدارها را کاهش دهد. غیر فرار بودن، چگالی بالای مدار نهایی و کاهش حاصل­ضرب تاخیر در توان مصرفی PDp از حقایق قابل توجه مدارهای ممریستوری است که منجر به پیشنهاد سلول حافظه شامل چهار ترانزیستور و دو ممریستور (۴T۲M) در این مقاله شده است. به­منظور شبیه­سازی سلول حافظه پیشنهادی، طول ممریستورها ۱۰ نانومتر و مقاومت حالت­های روشن و خاموش آنها به­ترتیب ۲۵۰ اهم و ۱۰ کیلو اهم انتخاب شده است. همچنین، ترانزیستورهای MOS سلول نیز توسط مدل CMOS PTM ۳۲ نانومتر شبیه­سازی شده­اند. شبیه­سازی در نرم­افزار اچ-اسپایس و با تغذیه یک ولت و مقایسه آن با دو سلول شش ترانزیستوری متعارف (۶T) و دو ترانزیستوری-دو ممریستوری (۲T۲M) نشان می­دهد که استفاده از ممریستور سبب غیر فرار شدن سلول­ حافظه پیشنهادی و سلول ۲T۲M در زمان قطع  ولتاژ تغذیه شده است، ضمن آن که مصرف توان مدار پیشنهادی نسبت به مدار ۶T و ۲T۲M به ترتیب ۸/۹۹ درصد و ۲/۵۷ درصد کاهش یافته و حاصل ضرب متوسط تاخیر در توان نیز به ترتیب ۴/۹۹ درصد و ۷/۲۶ درصد بهبود یافته است؛ هرچند تاخیر نوشتن این سلول و سلول  ۲T۲Mنسبت به سلول ۶T به ترتیب ۴۰۰ درصد و ۲۱۸ درصد افزایش یافته است. 

طراحی و شبیه سازی حافظه چهار ترانزیستوری و دو ممریستوری با کمترین توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان Keywords:

حافظه غیرفرار , ممریستور , سلول۴T۲M , حاصل ضرب تاخیر در توان

طراحی و شبیه سازی حافظه چهار ترانزیستوری و دو ممریستوری با کمترین توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان authors

کرامت کرمی

دانشکده مهندسی برق- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

سید محمد علی زنجانی

مرکز تحقیقات ریز شبکه های هوشمند- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مهدی دولتشاهی

دانشکده مهندسی برق- واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
[۱]S.M.A. Zanjani, M. Dousti, M. Dolatshahi, "A CNTFET universal mixed‐mode ...
N. Shaarawy, M. Ghoneima, A.G. Radwan, "۲T۲M Memristor-based memory cell ...
A. Baghi-Rahin, V. Baghi-Rahin, "A new ۲-input CNTFET-based XOR cell ...
N. Dehabadi, R. Faghih-Mirzaee, "Ternary DCVS half adder with built-in ...
A.M.S. Tosson, A. Neale, M. Anis, L. Wei, "۸T۱R: A ...
S. Pal, S. Bose, W.-H. Ki, A. Islam, "Design of ...
S. Bhatti, R. Sbiaa, A. Hirohata, H. Ohno, S. Fukami, ...
K. Eshraghian, K. Cho, O. Kavehei, S. Kang, D. Abbott, ...
K. Takeda, Y. Aimoto, N. Nakamura, H. Toyoshima, T. Iwasaki, ...
I. Carlson, S. Andersson, S. Natarajan, A. Alvandpour, "A high ...
G.M.S. Reddy, P.C. Reddy, "Design and implementation of ۸k-bits low ...
R.E. Aly, M.A. Bayoumi, "Low-power cache design using ۷T SRAM ...
L. Wen, X. Cheng, K. Zhou, S. Tian, X. Zeng, ...
M. Hemmati, M. Dolatshahi, S.M.A. Zanjani, "Design and optimization of ...
I. Vourkas, G.C. Sirakoulis, "A novel design and modeling paradigm ...
G. Papandroulidakis, A. Serb, A. Khiat, G. V. Merrett, T. ...
I. Vourkas, G. C. Sirakoulis, "Memristor-based nanoe­lec­tronic computing circuits and ...
G. Papandroulidakis, I. Vourkas, N. Vasileiadis, G.C. Sirakoulis, "Boolean logic ...
S.S. Sarwar, S.A.N. Saqueb, F. Quaiyum, A. Rashid, "Memristor-based nonvolatile ...
V. Saminathan, K. Parasamivam, "Design and analysis of low power ...
M. N. Sakib, R. Hassan, S. Biswas, "A memristor-based ۶T۱M ...
J. Singh, B. Raj, "Design and investigation of ۷T۲M-NVSRAM with ...
C. Roy, A. Islam, "TG based ۲T۲M RRAM using Memristor ...
A. Ebrahimi, E. Kargaran, A. Golmakani, "Design and analysis of ...
A. Rezaei, S.M.A. Zanjani, “Design and analysis of ۲ memristor-based ...
Z. Lin, Y. Wang, C. Peng, X. Wu, X. Li, ...
N. S. Soliman, M. E. Fouda, A. G. Radwan, "Memristor-CNTFET ...
C. Sun, K. Han, X. Gong, "Performance evaluation of static ...
D. Batas, H. Fiedler, "A memristor SPICE implementation and a ...
Z. Kolka, D. Biolek, V. Biolkova, "Hybrid modelling and emulation ...
Y.V. Pershin, M.D. Ventra, "Spice model of memristive devices with ...
نمایش کامل مراجع