تقویت کننده کم نویز کم مصرف و گین بالا در باند فرکانسی 3 تا 10 گیگاهرتز
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 5,224
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_248
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
Abstract:
دراین مقاله یک تقویت کننده با نویز پایین Low noise amplifier با استفاده از تکنولوژی 0.18μm CMOS در توپولوژی گیت مشترک و در باند فرکانس 3 -10 GHz ( Ultra wide band ( مورد بررسی قرارگرفته است دراین طرح توسط یک طبقه کاسکود و انتخاب بهینه مقادیر المان ها گین مدار را افزایش می دهیم نتایج شبیه سازی درنرم افزار ADS ( Advance design system مقدار گین S21 ، و 19تا 23 دسی بل ماکزیمم نویز فیگر NF برابر 3/7 دسی بل و مچینگ ورودی S11 کمتر از -17 دسی بل کهمطلوب می باشد را نشان میدهد به منظور کاهش توان مصرفی تغذیه مدار 1 ولت انتخاب شده است که توان مصرفی مدار برابر 6.26 میلی وات می باشد.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :