An Ultra High-Speed Low-Power CMOS 1-Bit Fast Full Adder Cell Using Gate-Diffusion Input Technique
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,785
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_292
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
Abstract:
In this paper a new high speed 1-bit fast full adder cell with the least chip area and using the GDI technique is proposed. Simulation results performed by HSPICE in 0.35 μm CMOS process illustrate the superiority of the resulting proposed adder cell against several conventional CMOS 1-bit full adder cells in terms of gate area, delay, power dissipation, and PDP. Simulation results show that the proposed adder has the least propagation delay of 151.65 psec and power dissipation of 5.58 μW in a supply voltage of 2.8 V.
Keywords:
Authors
Mahdi Peiravi
Islamic Azad University-Langroud, Department of Electrical Engineering, Guilan, Iran
Mehran Pourvahab
Islamic Azad University-Langroud Branch, Department of Computer Engineering, Guilan, Iran
Majid Soleimani
Islamic Azad University-Lahijan Branch, Department of Electrical Engineering, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :