شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان ۵ / ۳ وات باند X با استفاده از ترانزیستورهای مجزا
Publish place: 8th International Conference on Innovative Technologies in Science, Engineering and Technology
Publish Year: 1400
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 383
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
TETSCONF08_015
Index date: 16 September 2021
شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان ۵ / ۳ وات باند X با استفاده از ترانزیستورهای مجزا abstract
در این مقاله مراحل شبیه سازی و ساخت یک تقویت کننده توان در بازه فرکانس ۹/۲-۸/۸ گیگاهرتز توسط ترانزیستورهای مجزای GaN HEMT گزارش شده است. برای مشخصه یابی وایرباندها و مدارهای تطبیق مورد نیاز و بهینه سازی مدارهای طراحی شده، شبیه سازی های سه بعدی در نرم افزارهای HFSS و Momentum ADS انجام شده است. تقویت کننده ساخته شده توان ۳/۵ وات و بهره توان ۱۳dB دارد.
شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان ۵ / ۳ وات باند X با استفاده از ترانزیستورهای مجزا Keywords:
شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان ۵ / ۳ وات باند X با استفاده از ترانزیستورهای مجزا authors
مهدی فروزانفر
استادیار دانشگاه بیرجند