تاثیر زمان جذب رنگدانه بر عملکرد فوتوآند در سلول خورشیدی بر پایه نانوذرات اکسیدهای فلزیZnO ، TiO۲و SnO۲
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 21، Issue: 2
Publish Year: 1400
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 252
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PSI-21-2_012
Index date: 6 October 2021
تاثیر زمان جذب رنگدانه بر عملکرد فوتوآند در سلول خورشیدی بر پایه نانوذرات اکسیدهای فلزیZnO ، TiO۲و SnO۲ abstract
طراحی و مهندسی فضای داخلی و پیکربندی مواد مورد استفاده در فوتوآند، نقش کلیدی در عملکرد فوتوولتائیک سلول های خورشیدی رنگدانه ای دارد. در این تحقیق فوتوآند سلول خورشیدی رنگدانه ای با استفاده از نانو ذرات TiO۲، ZnO و SnO۲ به طور جداگانه با روش دکتر بلید بر روی سطح زیرلایه شفاف رسانا ساخته و توسط رنگدانه N۷۱۹ حساس سازی شدند. به دلیل این که رنگدانه نقش جذب فوتون ها را بر عهده دارد، لذا فوتوآند اکسید های مختلف در مدت زمان های مختلفی درون محلول رنگدانه N۷۱۹قرار گرفتند. با استفاده از تحلیل منحنی جریان- ولتاژ، پارامترهای بازده، ولتاژ مدار باز، چگالی جریان مدار کوتاه و پرشدگی سلول برای نمونه ها ی ساخته شده محاسبه شد. نتایج مشخصه یابی جریان – ولتاژ نشان می دهند که بهترین مدت زمان قرارگیری فوتوآند درون محلول رنگدانه N۷۱۹ برای لایه TiO۲ و SnO۲ ۲۰ ساعت و برای لایه ZnO بهینه زمان ۱ ساعت است.
تاثیر زمان جذب رنگدانه بر عملکرد فوتوآند در سلول خورشیدی بر پایه نانوذرات اکسیدهای فلزیZnO ، TiO۲و SnO۲ Keywords:
تاثیر زمان جذب رنگدانه بر عملکرد فوتوآند در سلول خورشیدی بر پایه نانوذرات اکسیدهای فلزیZnO ، TiO۲و SnO۲ authors
علی عرب خراسانی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس، تهران
اسماعیل ساعی ور ایرانی زاد
دانشکده فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس، تهران
امیر بیات
دانشکده فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :