تاثیر دمای بازپخت بر تحرک پذیری و مشخصه های الکتریکی گیت دی الکتریک NiO/PVC
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 21، Issue: 2
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 178
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-21-2_020
تاریخ نمایه سازی: 14 مهر 1400
Abstract:
در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون ۱ تا ۲ نانومتر است. بنابراین کاهش ضخامت گیت به ۱ نانومتر برای تولیدات آتی، سبب افزایش جریان تونلی و نشتی می شود. یکی از گزینه های مطلوب به عنوان گیت دی الکتریک، نانو کامپوزیت های هیبریدی هستند که ثابت دی الکتریک بالا و گاف نواری پهنی داشته و در تماس با زیرلایه یا بستر سیلیکونی تعادل حرارتی دارند. در کار حاضر، نمونه های هیبریدیNiO/PVC با غلظت های مختلف ماده آلی را به عنوان یک ماده دی الکتریک مناسب به روش سل ژل سنتز کرده و تلاش کردیم به کمک تکنیک تجربی تحلیل حرارتی و مشتق آن، کاهش وزن نمونه ها را در مقابل حرارت بررسی کنیم. برای اندازه گیری تحرک پذیری، ثابت دی الکتریک و رسانندگی نمونه های مزبور در دماهای بازپخت مختلف با دستگاه A۱۳۲GPS، از محاسبه انرژی فعال سازی در نمودار لگاریتمی رسانندگی برحسب عکس دما استفاده کردیم. نتایج به دست آمده نشان می دهند که نمونه NiO/PVC:۲ به جهت دارا بودن ثابت دی الکتریک بالاتر جریان نشتی کمتری دارد. رفتار همه نمونه ها نسبت به افزایش دما تا دماهای ۴۰۰ کلوین تقریبا یکسان است. تفاوت میان نمونه ها در دماهای بالاتر بروز می کند، به صورتی که نمونه NiO/PVC:۲ در دماهای بالای ۴۰۰ کلوین تحرک پذیری بالاتری دارند.
Keywords:
Authors
امیر حیاتی
دانشکده فنی و حرفه ای امام محمد باقر(ع)، دانشگاه فنی و حرفه ای مازندران، ساری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :