محاسبه و اندازه گیری تغییرات جریان نشتی ناشی از آسیب جابجایی برای یک دیود سیلیکونی در معرض تابش پروتون های فضایی
Publish place: Journal of Space Science and Technology، Vol: 13، Issue: 4
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 270
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JSST-13-4_007
تاریخ نمایه سازی: 13 آذر 1400
Abstract:
حضور پرتوهای یونیزان در محیط فضایی از جمله ذرات بدام افتاده، ذرات خورشیدی و پرتوهای کیهانی، می توانند تهدیدی جدی برای عملکرد صحیح قطعات الکترونیکی بکار رفته در ماهواره ها و فضاپیماها باشند. در این کار اثرات آسیب جابجایی در بوجود آمدن جریان نشتی در یک دیود سیلیکونی ، به عنوان آرایه اصلی بسیاری از قطعات الکترونیکی، در معرض تابش پروتون های فضایی مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور از کد مونت کارلوی GEANT۴ برای محاسبه اتلاف انرژی غیریونیزان در قطعه استفاده شده است. شبیه سازی پارامترهای الکتریکی این قطعه و بررسی تغییرات آن ها در معرض پروتون های فضایی نیز توسط نرم افزار SILVACO انجام شده است. نتایج نشان می دهد که جریان نشتی با افزایش شارش پروتون های فرودی تا p/cm۲ ۱۰۱۲× ۱/۲ در حدود ۸۵/۱ برابر مقدار آن قبل از تابش افزایش پیدا کرده و به حدود nA/µm ۲/۹۶ می رسد. به منظور اندازه گیری و اعتبارسنجی رفتار جریان نشتی این نوع قطعات از پرتودهی فوتودیودهای نوع BPW۳۴ با پروتون های MeV ۳۰ استفاده شده است.
Keywords:
Authors
سارا شوریان
دانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی ، تهران، ایران
حمید جعفری
استادیار، دانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
سید امیرحسین فقهی
استاد، دانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
غلامرضا اصلانی
مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای کرج، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :