تاثیر فشار هیدرواستاتیک برمینیمم نویز ترانزیستورهای AlGaN/GaN با تحرک بالای الکترونی
Publish place: Hydrophysics، Vol: 6، Issue: 2
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 142
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_HYDPHY-6-2_008
تاریخ نمایه سازی: 16 آذر 1400
Abstract:
در این مقاله، مدل عددی برای محاسبه چگالی و جریان الکترونی چاه کوانتم ترانزیستورهای AlGaN/GaN با در نظر گرفتن فشارهیدرواستاتیکی ارائه شده است که امکان بررسی اثر فشار روی رسانندگی متقابل، ساب باند های چاه کوانتمی، جریانهای نشت سطحی و حجمی و نهایتا مینیمم نویز را فراهم می کند. دراین مدل از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون در بدست آوردن چگالی گاز الکترونی دو بعدی استفاده شده که در آن تا پنج ساب باند انرژی در نظر گرفته شده است. افزایش فشارمعادل گیت مجازی در ترانزیستورها در مجاورت گیت حقیقی عمل میکند که باعث افزایش عمق چاه کوانتم، جریان و چگالی الکترونی، رسانندگی متقابل، جریانهای نشت ونهایتا مینیمم نویز میگردد. با افزایش فشار ساب باندها چاه کوانتم دو بعدی به سمت پایین فشرده می شود و الکترون ها بستگی قوی پیدا می کنند و محدودیت کوانتمی افزایش می یابد . همچنین در هر فرکانس و جریان درین سورس دلخواهی افزایش فشار باعث افزایش مینیمم نویز می شود. نتایج محاسبه شده با داده های تجربی موجود مطابقت خوبی دارند.
Keywords:
Authors
رجب یحیی زاده
گروه فیزیک، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خوی
زهرا هاشم پور
گروه فیزیک، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خوی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :