سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Effect of Annealing Temperatures on Structural and Morphological Properties of Copper doped Nickel Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

Publish Year: 1400
Type: Journal paper
Language: English
View: 148

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_JEFM-5-2_003

Index date: 11 December 2021

Effect of Annealing Temperatures on Structural and Morphological Properties of Copper doped Nickel Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering abstract

Nickel oxide (NiO) thin film is metal oxide that has attracted much attention in recent years due to its environment friendliness. In addition, by doping impurities such as copper (Cu) in NiO films the properties of prepared films can be changed. In this study, Cu:NiO thin films were deposited on silicon substrates by RF reactive magnetron sputtering. Then the deposited films were annealed at different temperatures of 200-600 °C. X-ray diffraction (XRD) results showed that all the prepared films were amorphous and the structural properties of films didn’t vary by annealing temperature. Also, atomic force microscopy (AFM) images demonstrated that the surface morphology of the films was affected by annealing temperature. The root mean square (Rms) roughness and average roughness (Ra) values were obtained from AFM observations. FTIR analysis shows the peaks in the wavenumber of 528 cm-1 and 742 cm-1 which are related to Ni-O stretching mode and Cu-O bond bending vibrations.

Effect of Annealing Temperatures on Structural and Morphological Properties of Copper doped Nickel Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Keywords:

Effect of Annealing Temperatures on Structural and Morphological Properties of Copper doped Nickel Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering authors

E Feyzi

Department of Physics, Karaj Branch, Islamic Azad University, Karaj, Iran

F Hajakbari

Advanced Materials Engineering Research Center, Karaj Branch, Islamic Azad University, Karaj, Iran

A Hojabri

Advanced Materials Engineering Research Center, Karaj Branch, Islamic Azad University, Karaj, Iran

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
A. Muzamil, M. Z. Butt, A. Dilawar, F. Bashir and ...
Y. E. Firat and A. Peksoz, Electrochim. Acta, ۲۹۵ (۲۰۱۹), ...
R. Noonuruk, W. Mekprasart and W. Pecharapa, Phys. Status Solidi, ...
S. Kazuya, K. Sangcheol, K. Shuji and Z. Xinwei, Jpn. ...
Y. Wang, J. Ghanbaja, P. Boulet, D. Horwat and J. ...
L. Cao, D. Wang and R. Wang, Mater. lett., ۱۳۲ ...
T. M. Roffo, S. Nozaki and K. Uchida, J. Cryst. ...
K. Varun Kumar, R. Hussani, G. Hegde and A. S. ...
F. Hajakbari, M. T. Afzali and A. Hojabri, Acta Phys. ...
Z. Nouri, A. Hojabri and F. Hajakbari, J. Environ. Friendly ...
نمایش کامل مراجع