رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 225
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIPET-1-4_003
تاریخ نمایه سازی: 19 دی 1400
Abstract:
در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس ۴۵ نانومتر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ISE-TCAD نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می گردد. در نهایت نتایج شبیه سازی سه بعدی نرم افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج به دست آمده مورد مقایسه قرار می گیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
آرش دقیقی
استادیار /دانشگاه شهرکرد
اعظم عسکری خشویی
کارشناسی ارشد /مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تیران و کرون