سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی ویژگی های الکترونی و اپتیکی ترکیبات در حالت سطح در راستای (۰۰۱) با استفاده از نظریه تابعی چگالی

Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 210

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_IJSSE-13-33_007

Index date: 11 January 2022

بررسی ویژگی های الکترونی و اپتیکی ترکیبات در حالت سطح در راستای (۰۰۱) با استفاده از نظریه تابعی چگالی abstract

در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید  در حالت سطح در راستای (۰۰۱) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX۲(X=Se,S) در حالت انبوهه به ترتیب ۸۰/۰ و۹۳/۰ الکترون ولت است اما در حالت سطح این ترکیبات فاقد گاف نواری هستند که علت آن پیوندهای آویزان سطحی هستند که گاف نواری را پوشانده است. محاسبات نشان داد که ترکیب CuSbTe۲ در هر دو حالت انبوهه وسطح فلز است. همچنین انرژی سطح، تابع کار، چگالی حالت ها و ویژگی های اپتیکی درحالت سطح در راستای (۰۰۱) با سه برابر تکرار لایه ها و خلا ۱۵ آنگستروم محاسبه شده است.

بررسی ویژگی های الکترونی و اپتیکی ترکیبات در حالت سطح در راستای (۰۰۱) با استفاده از نظریه تابعی چگالی Keywords:

نظریه تابعی چگالی , خواص اپتیکی , کلکوژنید و پیوندهای آویزان

بررسی ویژگی های الکترونی و اپتیکی ترکیبات در حالت سطح در راستای (۰۰۱) با استفاده از نظریه تابعی چگالی authors

حمد اله صالحی

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

روح الله زارع حسن آباد

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

پیمان امیری

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
M. Kumar, C. Persson, CuSbS۲ and CuBiS۲ as potential absorber ...
D.Tang, J.Yang, F.Liu, Y.Lai, Growth and characterization of CuSbSe۲ thin ...
Q. Jiang, D. S. Zhao and M. Zhao, Size-dependent interface ...
http://www.quantum-espresso.org ...
D. R. Hamann, M. Shluter, and C.Chiang, Norm-Conserving pseudotentials, Phys.Rev.Lett, ...
P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, ...
D. Y. Li and W. Li, Electron work function: A ...
نمایش کامل مراجع