مطالعه و بررسی نانوذرات اکسید لانتان تزریق شده با روی به عنوان گیت دی الکتریک مناسب در NVM های آینده
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,162
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNN01_052
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1391
Abstract:
دراین کار پژوهشی درپی یافتن دی الکتریکی با ثابت دی الکتریک و دمای بلوری بالا برای گیت حافظه های دائمی NVM آینده هستیم به روش سل - ژل نانوذره های اکسید لانتان تزریق شده با روی را سنتز کردیم برای مطالعه ویژگیهای ساختار ماده ی به دست آمده از تکنیک پراش اشعه ایکس XRD استفاده کردیم برای بدست آوردن اندازه ی ذرات از تکنیک X-powder بهره گرفتیم همچنین برای بررسی خواص سطح از میکروسکوپ های نیروی اتمی AFM و الکترون روبشی SEM استفاده کردیم نتایج بدست آمده نشان داده اند که افزودن روی به اکسیدلانتان ساختار آن را به شدت آمورف می کند و از آنجا که اکسید روی نیز دی الکتریک خوبی به شمار می آید خاصیت دی الکتریکی اکسید لانتان را نیز تقویت می کندو باعث می شود دمای بلوری آن بالا رود.
Keywords:
Authors
زهرا خورشیدی میانایی
گروه فیزیک دانشگاه مازندران بابلسر
طیبه تقی پورلمراسکی
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :