بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

آرمین سلماسی; اسکندر کشاورز علمداری

بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

Publish place: Journal of Advanced Materials in Engineering، Vol: 31، Issue: 2

Publish Year: 1391

Type: Journal paper

Language: Persian

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/1448072

Document National Code:

JR_JAME-31-2_005

Index date: 17 May 2022

بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین abstract

بررسی روش ساخت و کیفیت لایههای نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایهنشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین۱ از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری کلرو سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن آنها از روی کاتالیزور سرامیکی پلاتین ایریدیوم آلومینا در دمای ۶۰۰ درجه سانتیگراد انجام شد. تغییرات سینتیک رشد لایه نسبت به تغییرات فشار کل سیستم، نسبت نرخ شارش آمونیاک به تری کلرو سیلان و دما بررسی شد. توپوگرافی و ترکیب شیمیایی لایه نازک توسط بیضیسنجی، طیف نگاری فوتو الکترون اشعه ایکس، طیف نگاری فوتو الکترون اشعه ایکس، طیف نگاری تبدیل فوریه مادون قرمز، میکروسکوپ نیروی اتمی و عمق نگاری با الکترون اوژه مورد بررسی قرار گرفت. بررسی نتایج نشان داد که در محدوده دمایی ۷۳۰ تا ۸۳۰ درجه سانتیگراد سینتیک رشد لایه نازک تابعی آرنیوسی با انرژی فعالسازی ۳/۱۶۶ کیلوژول بر مول است. آلودگی هیدروژن در لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف ۰۵/۱ درصد اتمی اندازهگیری شد. این مقدار ۱۷ برابر کمتر از آلودگی هیدروژن در لایههای حاصل از روش لایهنشانی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما۲ و ۴/۳ برابر کمتر از مقدار آلودگی اندازهگیری شده در لایههای حاصل از لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین با استفاده از سیستم گازی سیلان و آمونیاک یا سیستم گازی دی کلروسیلان و آمونیاک است. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی نشان داد که توپوگرافی سطحی لایه حاصل هموار و همگن است.

بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین Keywords:

Gaseous free radicals , Pt-Ir/Al۲O۳ catalyst , a-SiNx , TCS , LPCVD. , رادیکال آزاد گازی , کاتالیزور پلاتین ایریدیوم آلومینا , نیترید سیلیکون آمورف , تری کلروسیلان , لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین authors

آرمین سلماسی

Nanotechnology and Advanced Materials Department, Materials and Energy Research Center, Karaj, Iran.

اسکندر کشاورز علمداری

Department of Mining and Metallurgical Engineering, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran.