مدلسازی عددی انتقال حرارت جابه جایی نانوسیال آب/ مس در یک کانال سینوسی تحت تاثیر میدان مغناطیسی

در این مطالعه، انتقال حرارت جابه جایی اجباری نانوسیال آب/ مس در یک کانال سینوسی تحت تاثیر میدان مغناطیسی به صورت آرام، پایا و تراکم ناپذیر در یک کانال سینوسی به روش عددی مورد بررسی قرار گرفته است. کسر حجمی نانوذرات ۳ درصد است. محدوده عدد رینولدز جریان ۵۰۰ ≤ Re ≤ ۱۰۰ است. اعمال میدان مغناطیسی در ۴ عدد هارتمن مختلف (۲۰، ۴۰، ۶۰ و ۸۰) مورد بررسی قرار گرفته است. شار حرارتی ثابت w⁄m^۲ ۱۰۰، در جداره های کانال اعمال شده است. معادلات اساسی حاکم به روش حجم محدود گسسته سازی می شوند و جهت ارتباط بین میدان سرعت و فشار از الگوریتم سیمپل استفاده شده است. از مدل ماکسول و مدل برینکمن به ترتیب برای رسانش حرارتی و وسکوزیته دینامیکی نانوسیال استفاده شده است. شبکه هندسه مورد نظر در مسئله حاضر شبکه سازمان یافته است. نتایج حاصل حاکی از آن است که با افزایش عدد هارتمن و دامنه موج نرخ حرارت منتقل شده بهبود یافته است. به نحوی که عدد ناسلت، با افزایش عدد هارتمن و دامنه موج به ترتیب حدود ۹/۱۴ و ۱۹/۲۴ درصد افزایش یافت.

Keywords:

شبیه سازی عددی , انتقال حرارت جابه جایی , کانال سینوسی , میدان مغناطیسی