بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 750
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_335
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
مادراین مقاله با شبیه سازی و ساخت سه نوع فتودیود مادون قرمز InSb نشان میدهیم که باانتخاب تراکم ناخالصی 2×10 15 Cm-3 برای نوع n- و 1×10 18cm-3 برای نوع -p حساسه بیشینه مقاومت خود را نسبت به تراکم های دیگر دارد دراین شرایط بیشینه مقاومت از بایاس صفر تاحدود 300-mV وجود دارد که بازه مجاز بایاس آشکارساز درشرایط بهینه را نشان میدهد دراین حالت حساسه ای با حاصلضرب مقاومت درمساحت 1/4×10 5QCM2 دربایاس 50-mV ساخته شده است.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :