ساخت حسگر فشار گسیل میدانی با استفاده از آرایه نانولولههای کربنی عمودی برروی بستر سیلیسیومی ریزماشینکاری شده
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 899
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE19_470
Index date: 4 August 2012
ساخت حسگر فشار گسیل میدانی با استفاده از آرایه نانولولههای کربنی عمودی برروی بستر سیلیسیومی ریزماشینکاری شده abstract
از نانولولههای کربنی به عنوان کاتد سرد در ساخت حسگر فشار گاز استفاده شده است. نانولولهها به صورت عمودی به روشPECVD روی زیر لایه سیلیسیومی ریزماشینکاری شده رشد داده شدهاند. حسگر فشار به عنوان آند قابل انعطاف در مقابل فشار اعمالی از غشاء سیلیسیومی انعطافپذیری که به کمک زدایش زیرلایه بهدست آمده استفاده میکند. غشاء با تغییر فشار ورودی خم میشود و با تغییر فاصله آند - کاتد جریان گسیلی تغییر میکند. رشد نانولولهها در الگوهای ریزماشینکاری شده با استفاده از دستگاهSEMبررسی شده است.
ساخت حسگر فشار گسیل میدانی با استفاده از آرایه نانولولههای کربنی عمودی برروی بستر سیلیسیومی ریزماشینکاری شده Keywords:
ساخت حسگر فشار گسیل میدانی با استفاده از آرایه نانولولههای کربنی عمودی برروی بستر سیلیسیومی ریزماشینکاری شده authors
نرگس دوستانی دزفولی
دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت مدرس
سارا درباری
آزمایشگاه لایه نازک و نانوالکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
شمس الدین مهاجرزاده
آزمایشگاه لایه نازک و نانوالکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
محمدکاظم مروج فرشی
دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت مدرس
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :