Tunable Group Delay in a SOI Waveguide Based on Stimulated Raman Scattering
Publish place: 19th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 928
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_518
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
We analytically demonstrate the slow down factor enhancement of slow light induced by stimulated Raman scattering in a silicon-on insulator waveguide with a p-i-n Structure. An analytical model is derived for group delay simulation by taking into account of propagation loss and free carrier absorption. It is shown that applying a variable reverse bias voltage to the waveguide decreases the FCA and thus the maximum group delay can be enhanced. Tunable delay time is achievable through applying different bias voltages.
Keywords:
Authors
Majid Ferdosian
Amirkabir University of Technology
Hassan Kaatuzian
Amirkabir University of Technology
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :