یک ساختارجدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه برای بهبود شیب زیرآستانه
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,021
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_191
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
Abstract:
دراین مقاله یک ساختارجدید افزاره سیلیگون روی عایق دولایه پیشنهاد شده است دراین افزاره از دولایه عایق مدفون جهت بهبود اثرات خودگرمایی و شیب زیرآستانه استفاده شده است عایق روبین دارای ثابت دی الکتریک کوچکتر درمقایسه با عایق زیرین می باشد رسانایی حرارتی عایق زیرین بگونه ای استکه حداکثر انرژی حرارتی را به زیرلایه منتقل می کند نتایج شبیه سازی ترانزیستور 22 نانومتر سیلیکون روی عایق با بدنه خیلی نازک بیانگر کاهش نفوذ میدان الکتریکی از سمت سورس / درین به بدنه می باشد همچنین نتایج شبیه اسزی موید 3 درصد افزایش ماکزیمم درجه حرارت ناحیه فعال ترانزیستور و بهبود شیب زیراستانه قابل مقایسه با افزاره سیلیکون روی عایق می باشد از ساختارافزاره سیلیکون روی عایق پیشنهادی می توان برای کاهش اثرات خودگرمایی استفاده نمود.
Keywords:
Authors
آرش دقیقی
استادیار دانشگاه شهرکرد
سیدجعفر حسینی تشنیزی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :