مشخصات غلاف در یک پلاسمای مغناطیده برخوردی مشتمل بر الکترو ن های نافزونور و یون های حرارتی

در این مقاله، تشکیل غلاف و ویژگی های آن در یک پلاسمای مغناطیده برخوردی شامل الکترو ن های نافزونور و یون های حرارتی مورد مطالعه قرار می­گیرد. با استفاده از مدل سیالی، معیار بوهم به صورت تابعی از پارامترهای پلاسما برای سرعت یون ها به دست آمده و نشان داده می­شود که برخورد یون-خنثی حد (کران) بالایی برای معیار بوهم تحمیل می­کند. همچنین نشان داده می­شود که انحراف از توزیع ماکسولی مشخصه­های غلاف را تحت تاثیر قرار می­دهد. به علاوه، اثرات میدان مغناطیسی، دمای یونی، نافزونوری و بسامد برخورد یون- خنثی بر پتانسیل غلاف و چگالی یون بررسی می­شود. نتایج به دست آمده نشان می­دهند که با اعمال میدان مغناطیسی می­توان ضخامت غلاف را کنترل کرد

Keywords:

غلاف پلاسمایی , پلاسمای مغناطیده , معیار بوهم , نافزونوری , یون های حرارتی