تاثیر حضور سرکه سیب و دمای کلسینه کردن بر خلوص و خواص هگزا فریت باریم تولید شده به روش سل-شل خود احتراقی

در پژوهش حاضر سعی شد تا نانو ذرات هگزا فریت باریم به روش سل-زل خود احتراقی در حضور سرکه سیب تولید شوند.همچنین تاثیر دمای کلسینه کردن بر خلوصء خواص ساختاری و مغناطیسی این دسته از نانو ذرات به طور مفصل موردبررسی قرار گرفت. نتایج بررسی های انجام شده نشان داد که استفاده از عامل افزودنی سرکه سیب بر خواص ساختاری ماننداندازه بلورک ها به شدت تاثیر گذار است. به گونه ای که در حضور این عامل افزودنی میانگین اندازه بلورک ها از حدود ۴۹nmدر نمونه بدون افزودنی به ۳۶nm در نمونه حاوی سرکه سیب کاهش یافت. همچنین در حضور سرکه سیب پارامتر شبکه نیزتحت تاثیر تغییر توزیع کانتیون ها در موقعیت های مختلف شبکه کاهش یافت. از سوی دیگر خواص مغناطیسی نانو ذرات نیزدر حضور این عامل افزودنی ارتقا یافت. با این حال نتایج بخش دیگری از این مطالعه نشان داد که انجام فرایند کلسینه کردندر دمای ۸۰۰˚C منجر به کامل شدن فرایند تبلور نمی شود و از این رو عملیات کلسینه کردن در دمای ۱۰۰۰˚C نیز موردبررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که با انجام فرایند کلسینه کردن در این دما ضمن حذف مقادیر جزئثی ناخالصی. تبلور نیزکامل می شود.

Keywords:

هگزا فریت باریم , سل-ژل خود احتراقی , خواص مغناطیسی , سر که سیب