طراحی سوئچ های RF MEMS با خم مارپیچی و غشاء طلا به منظور کاهش ولتاژ تحریک
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,197
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_054
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
Abstract:
در این مقاله یک ساختار جدید برای سوئیچ های فرکانس رادیویی میکروالکترومکانیک جهت کاهش ولتاژ تحریک معرفی شده است. از آنجا که اصلی ترین مشکل در سوئیچ های RF MEMS ولتاژ تحریک بالا است نشان خواهیم داد که با طراحی سوئیچ ثابت- ثابت یا پل معلق خازنی با غشاء خم مارپیچی به کاهش ثابت فنری و در نتیجه ولتاژ تحریک کمتری دست خواهیم یافت. در ادامه از غشاء طلا نسبت به مس استفاده کرده و مجدداً به ولتاژ تحریک کاهش یافته، حدود 13% دست یافتیم که این نتایج با مقالات معتبر مورد مقایسه قرار گرفته و همچنین پیشنهادات فوق در فرکانس 1-40 گیگاهرتز با نرم افزار المان محدود (FEA) Intellisutie شبیه سازی شده است.
Keywords:
Authors
سعید گودرزی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات قزوین
توحید زرگر ارشادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات قزوین
مرضیه قلی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات قزوین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :