بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL)

با تغییر مقیاس دادن در ترانزیستورها به علت دست یافتن به عملکرد بهتر و همچنین کم شدن هزینه ساخت آثار کانال کوتاه باعث اختلال در عملکرد افزاره میشوند به همین دلیل در این مقاله به ارزیابی یک ترانزیستور ماسفت نوع P با طول کانال ۹۰ نانومتر می پردازیم نشان می دهیم که با بررسی تغییرات ناخالصی در آلایشهای هاله گون Halo و LDD و Retrograde می توانیم تاثیرات کانال کوتاه را در ترانزیستور ماسفت بهبودببخشیم

بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL) Keywords:

آلایش , ترانزیستور PMOS , کانال کوتاه , نرخ داپینگ

بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL) authors

آرش رضایی

مهندسی برق،دانشکده فنی ومهندسی، دانشگاه رازی ، کرمانشاه،ایران

مزدک رادملکشاهی

گروه مهندسی برق ،استادیار دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/1644766

Document National Code:

ICNRTEE01_022

Index date: 1 May 2023

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

رضایی، آرش و رادملکشاهی، مزدک،1401،بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL)،International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE)،Tehran،https://civilica.com/doc/1644766

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1401، رضایی، آرش؛ مزدک رادملکشاهی)
برای بار دوم به بعد: (1401، رضایی؛ رادملکشاهی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Razi University

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 15,305

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

Related papers

مقاله فارسی "بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL)" توسط آرش رضایی، مهندسی برق،دانشکده فنی ومهندسی، دانشگاه رازی ، کرمانشاه،ایران؛ مزدک رادملکشاهی، گروه مهندسی برق ،استادیار دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران نوشته شده و در سال 1401 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله آلایش ،ترانزیستور PMOS ، کانال کوتاه ،نرخ داپینگ هستند. این مقاله در تاریخ 11 اردیبهشت 1402 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 373 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که با تغییر مقیاس دادن در ترانزیستورها به علت دست یافتن به عملکرد بهتر و همچنین کم شدن هزینه ساخت آثار کانال کوتاه باعث اختلال در عملکرد افزاره میشوند به همین دلیل در این مقاله به ارزیابی یک ترانزیستور ماسفت نوع P با طول کانال ۹۰ نانومتر می پردازیم نشان می دهیم که با بررسی تغییرات ناخالصی در آلایشهای هاله گون ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL) با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.