بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL)
Publish place: International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE)
Publish Year: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 239
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE01_022
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1402
Abstract:
با تغییر مقیاس دادن در ترانزیستورها به علت دست یافتن به عملکرد بهتر و همچنین کم شدن هزینه ساخت آثار کانال کوتاه باعث اختلال در عملکرد افزاره میشوند به همین دلیل در این مقاله به ارزیابی یک ترانزیستور ماسفت نوع P با طول کانال ۹۰ نانومتر می پردازیم نشان می دهیم که با بررسی تغییرات ناخالصی در آلایشهای هاله گون Halo و LDD و Retrograde می توانیم تاثیرات کانال کوتاه را در ترانزیستور ماسفت بهبودببخشیم
Keywords:
Authors
آرش رضایی
مهندسی برق،دانشکده فنی ومهندسی، دانشگاه رازی ، کرمانشاه،ایران
مزدک رادملکشاهی
گروه مهندسی برق ،استادیار دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران