بررسی عددی اثر زتاپتانسیل دیواره در یک ریزمخلوط گر مگنتو-الکترواسموتیک

در این مقاله ، اثرات تغییر زتاپتانسیل دیواره بر راندمان اختلاط در یک ریزمخلوطگر مگنتو-الکترواسموتیکی به صورت عددی بررسی و شبیه سازی شده است . هندسه جریان یک مجرای دوبعدی بین دو صفجه موازی است که سرتاسر دیواره ها باردار می باشد. بعلاوه جریان مورد نظر تراکم ناپذیر، دائم و آرام فرض شده است . معادلات حاکم بر مساله ، شامل معادلات اندازه حرکت اصلاح شده (ناویر-استوکس ) برای میدان جریان سیال، معادله میدان مغناطیسی ، معادلات میدانهای پتانسیل الکتریکی خارجی و داخلی ، معادلات توزیع غلظت یونهای مثبت و منفی (ارنست -پلانک ) و معادله ی غلظت گونه ها به روش عددی حجم محدود حل شده است . به منظور اعتبارسنجی برنامه عددی ، یک جریان ایده آل الکترواسموتیک که در آن سراسر دیواره ها باردار می باشد، شبیه سازی گردیده است و نتایج آن با نتایج تحلیلی موجود مقایسه شده است . نتایج عددی نشان می دهد با افزایش زتا پتانسیل دیواره ها، راندمان اختلاط کاهش می یابد. به طوری که این کاهش راندمان اختلاط از مقدار ۹۵ درصد برای ۵- =Zبه مقدار۵۵ درصد برایZ = −۱۰۰ (mVolt) می رسد.

Keywords:

میدان مغناطیسی , میدان الکتریکی , ریزمخلوطگر , شبیه سازی عددی , ناویر-استوکس .