طراحی مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از سلف فعا ل با ضریب کیفیت بالا در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 194
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICECM06_089
تاریخ نمایه سازی: 10 مرداد 1402
Abstract:
در این مقاله طراحی مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از سلف فعال در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um ارائه شده است. درمدار ارائه شده از سلف فعال قابل تنظیم به جای سلف پسیو استفاده شده است. در توپولوژی مدار تقویت کننده کم نویز از توپولوژی تقویت کننده کسکود سورس مشترک با فیدبک RC استفاده شده است. جهت تطبیق امپدانس ورودی و خروجی ازمدار سورس فالور استفاده شده است. مدار طراحی شده با استفاده از نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده در فرکانس ۱/۵۷GHz بدین صورت می باشد. S۲۱=۲۱ dB , S۱۱=-۱۷dB, S۲۲= -۱۶ dB و NFmin=۱.۹dB. کل مصرف توان این مدار با تغذیه ۱.۸ ولت برابر ۱۳.۵ میلی وات می باشد. در این مدار با بکار بردن سلف فعال با ضریب کیفیت بالا و با دارا بودن قابلیت تنطیم سلف فعال قابلیت مدار بهتر شده وسایز نهایی IC بطور چشمگیر کاهش می یابد.
Keywords:
Authors
حجت بابایی کیا
استادیار موسسه آموزش عالی علم وفن ارومیه، ارومیه ، ایران