طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی و موازی RF MEMS با استفاده ازCPW درباند V
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,132
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_156
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
دراین مقاله طراحی و تحلیل یک سوئیچ خازنی RF MEMS موازی کم تلف بروی موجبر هم صفحه درباند فرکانسی 60-40( GHz V ارایه شده است مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است ابتدا موجبر هم صفحه برای داشتن امپدانس مشخصه 50 اهم طراحی شده سپس سوئیچ موردنظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن ابتدا توسط نرم افزار CoventorWare سوئیچ تحلیل الکترومکانیکی و گذرا شده و ولتاژ پایین کشنده و زمان سوئیچینگ آن بدست آمده درادامه سوئیچ دردو حالت روشن و خاموش به کمک مدلسازی درنرم افزار HFSS تحلیل موجی شده و پاارمترهای مهم یک سوئیچ ازجملهتلفات بازگشتی و تلفات داخلی درحالت روشن و ایزولاسیون درحالت خاموش برای باندفرکانسی V استخراج گردیدهاست دراین مقاله نشان داده شده که سوئیچ طراحی شده دارای تلفات پایین ایزولاسیون بالا و تلفات بازگشتی بسیارناچیز درباندفرکانسی V می باشد.
Keywords:
Authors
محمدرضا بهروزی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :