طراحی و پیاده سازی منطق سه ارزشی گالوا با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی در تکنولوژی نانو لوله های کربنی
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,617
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_239
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
این مقاله عملیات ریاضی ،جمع و ضرب در منطق سه ارزشی گالوا را با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی در تکنولوژی نانو لوله های کربنی ارائه می دهد.منطق سه ارزشی اهمیت خاصی در میان منطق های چند ارزشی دارد به طوریکه بیشتر منطق های چندارزشی به نوعیبسط یافته ی منطق سه ارزشی می باشند.علاوه بر اینکه استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی در تکنولوژی نانو لوله های کربنی باعث بهبود و افزایش کارایی مدارات سه ارزشی گالوا می شود.در این مقاله یک تکنیک طراحی جدید برای گیت های منطق سه ارزشی برمبنای ترانزیستورهای اثرمیدانی در تکنولوژی نانو لوله ها ی کربنی استفاده می شود که در مقایسه با طراحی های موجود با استفاده از مقاومت ،کارایی مدارات مذکور را به طور چشمگیری افزایش می دهد.نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICE یک بهبود اساسی در توان مصرفی و تاخیر و حاصل ضرب توان در تاخیرpdp( را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
مهلا محمدمیرزائی
دانشجوی کارشناسی ارشد ،معماری سیست های کامپیوتری،دانشگاه علو و تحقی
شیرین عباسی
دانشجوی کارشناسی ارشد ،نر افزار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
سحر یزدانپناه
دانشجوی کارشناسی ارشد ، هوش م نوعی، دانشگاه علو تحقیقات کرمان
پیمان کشاورزیان
عضو هیات علمی دانشکده کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :